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1. 多体(电子)问题? 2. 整数量子霍尔效应(IQHE) 3. Landau能级和局域态 4. 整数量子霍尔效应的解释 5. 分数量子霍尔效应(FQHE) 6. 换个图象看量子霍尔效应 7. 分数量子霍尔效应的解释
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复旦大学:《固体物理学》课程教学资源(讲义)第一章 金属自由电子气体模型_专题一 整数和分数化量子霍尔效应
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复旦大学:《固体物理学》课程教学资源(讲义)第一章 金属自由电子气体模型_专题一 整数和分数化量子霍尔效应
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《固体物理学》课程教学资源(课外阅读材料)分数量子霍尔效应理论 Anomalous Quantum Hall Effect:An Incompressible Quantum Fluid with Fractionally Charged Excitations
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《固体物理学》课程教学资源(课外阅读材料)分数量子霍尔效应实验 Two-Dimensional Magnetotransport in the Extreme Quantum Limit
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本书是普通高等教育“九五”国家级重点教材,是作者多年来在南京大学讲授固体物理的经验的总结作为一本面向大学本科学生的教材,本书在内容取舍、顺序安排、难度处理等诸多方面都经过反复斟酌本书在传统固体物理的理论框架和不增加篇幅的情况下,对一些一般教材讲解较少的内容做了比较深入的讲解,例如非完整晶格振动中的局域模、磁致电阻、范弗莱克顺磁性和超交换耦合等同时,作者适当地引入了一些凝聚态研究领域的新进展,如准晶体、量子霍尔效应和自旋相关输运等,在尽量不涉及高等量子力学和复杂的数学处理的情况下做到物理图像清晰、内容融会贯通,以使学生能够掌握从事凝聚态物理研究工作的专业基础知识全书内容包括晶体的结构及其对称性晶体的结合晶格动力学和晶体的热学性质、能带论、金属电子论、半导体电子论、固体磁性和超导电性8章。本书可作为高等院校物理类专业本科生、研究生的固体物理教材,也可供其他专业的师生及社会读者参考
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6.4 在恒定磁场中电子的运动 一. 恒定磁场中的准经典运动 二. 自由电子的量子理论 三. 晶体中电子的有效质量近似 四. 回旋共振 五. 霍尔效应 六. De Haas-Van Alphen效应 6.5 能带结构的实验研究 一.软 X 射线的发射与吸收 二.光吸收与磁光吸收 三.回旋共振与Azbel-Kaner 共振 四.反常趋肤效应 五.磁声技术
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一、 预科实验 实验一 测定冰的熔化热 实验二 电学实验基本知识和测量非线性元件的伏安特性 实验三 示波器的使用 实验四 测量薄透镜的焦距 实验五 显微镜 二、 基础实验-I 实验六 测量误差和不确定度 实验七 测定金属的杨氏模量 实验八 刚体转动实验 实验九 气轨上弹簧振子的简谐振动 实验十 扭摆的受迫振动 实验十一 复摆实验 实验十二 测定媒质中的声速 实验十三 弦上驻波实验 实验十四 直流电桥测量电阻 实验十五 用非平衡测量铂电阻的温度系数 实验十六 霍尔效应测量磁场 实验十七 LCR的谐振现象 实验十八 弗兰克-赫兹实验 实验十九 虚拟仪器基础-LabVIEW入门 实验二十 分光计的调节和用掠入射法测折射率 实验二十一 光衍射的定量研究 实验二十二 观察光的偏振现象 实验二十三 迈克耳孙干涉仪 三、 基础实验-II 实验二十四 高温超导材料特性测试和低温温度计 实验二十五 闪光法测定不良导体的热导率 实验二十六 动态法测定良导体的热导率 实验二十七 真空镀膜实验 实验二十八 交流电桥 实验二十九 RLC串联电路的暂态过程 实验三十 磁滞回线的测量 实验三十一 光栅特性及测定光波波长 实验三十二 偏振光的定量研究 实验三十三 全息照相 实验三十四 阿贝成像原理和空间滤波 实验三十五 光源的时间相干性 实验三十六 光栅光谱仪的校准和使用 实验三十七 光学多道分析器(OMA)研究氢原子光谱 实验三十八 微波的布拉格衍射 实验三十九 X射线衍射 实验四十 共振法测定杨氏模量及其与温度的关系
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(In, Co)共掺的ZnO薄膜(ICZO薄膜)在100 ℃下通过射频(RF)溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率,获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)、原子力显微镜(AFM)、电子探针扫描(EPMA)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试(Hall measurement)和振动样品磁强计(VSM)对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明,随着薄膜中In含量的提高,薄膜中载流子浓度显著提高,薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时,束缚磁极化子(BMP)模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料,致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变,并呈现在三个不同的区域
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