内容主要有： 半导体的导电性能 PN结的形成及单向导电性 半导体器件的结构、工作原理、工作特性、参数 半导体器件主要包括： 半导体二极管（包括稳压管） 三极管和场效应管

本章讨论的问题:1为什么采用半导体材料制作电子器件?2空穴是种裁流子吗?空穴 导电时电子运动吗?3什么是N型半导体?什么是P型半导体?当二种半导体制作在一起时会 产生什么现象?4PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗?它为什么具有单向性?在PN结 中另反向电压时真的没有电流吗?

2.1 PLD的基本结构和表示方法 2.2 PLD的分类 2.3 GAL器件的结构及特点 2.4 CPLD的结构及特点 2.5 FPGA的结构特点

1.4场效应管 场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流 的一种半导体器件。 它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管

发光二极管 发光二极管的结构和工作原理 注入式电致发光器件 PN结烧结在陶瓷或金属底座上透明环氧树脂封装

第一章 计算机组成原理实验概述 第二章 FD-CES实验台 第三章 可编程器件技术 第四章 PLD硬件基础 第五章 PLD开发环境

MCS-51单片机内部各器件的具体结构、组成原理、工作方式的设置及典型应用，为读者后续学习单片机应用系统设计、充分利用单片机内部资源解决工程实际问题奠定基础。重点在于各器件工作方式的设置及灵活应用，难点在于中断系统和定时器/计数器的应用

负阻振荡器：利用负阻器件抵消回路中的正阻损耗， 产生自激振荡的振荡器。由于负阻器件与回路仅有两端 连接，故负阻振荡器又称为“二端振荡器

一、热电偶与热电堆 二、热敏电阻 三、热释电探测器件

一、偏振器件(Polarizing device)作用:产生偏振光或检测偏振光