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主要掌握三相电路的基本概念及基本分析方法线电压线电流相电压、相电流在Y和4联接中的关系;掌握对称不对称的分析方法以及二瓦计法的基本道理;掌握三相电路功率的概念及应用
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本文研究了拟稳态时各向异性表面张力作用下柱晶界面的生长行为.在运用渐近分析方法求解柱晶界面形态数学表达式的基础上,分析在不同各向异性表面张力强度影响下柱晶界面形态的变化.各向异性表面张力对柱晶界面形态有显著影响.在柱晶生长开始阶段,柱晶部分界面首先向内收缩,当收缩达到某个临界值后,界面开始向外生长.柱晶界面沿着优先生长方向更快地生长.柱晶界面形态上形成突起变形,各向异性表面张力强度越大,柱晶界面形态的突起变形越明显
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2.1. 刚体平面运动的简化 2.2. 用分析方法研究平面图形的运动 2.2.1. 运动方程 2.2.2.平面图形的角位移、角速角加速度 2.2.3. 平面图形上点的运动分析
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§1.1 电路的基本概念与定律 1.1.1 电路中的物理量 1.1.2 电路元件 1.1.3 基尔霍夫定律 §1.2 电路的分析方法 1.2.1 支路电流法
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上面给大家介绍的是两种生存分析方法,但它们只能研究一至两个因素对生 存时间的影响,当对生存时间的影响因素有多个时,它们就无能为力了,下面我 给大家介绍 Cox Regression 过程,这是一种专门用于生存时间的多变量分析的 统计方法
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2.1刚体平面运动的简 2.2.用分析方法研究平面图形的运动 2.2.1.运动方程 2.2.2平面图形的角位移、角速角加速度 2.2.3.平面图形上点的运动分析
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采用EBSD微取向分析方法,通过分析高纯铝箔冷轧后退火的再结晶初期立方取向晶核的形成过程及立方取向晶粒的长大行为,探讨了高纯铝箔中立方织构形成的微观过程.结果表明,在高纯铝箔轧制基体上没有发现立方取向{001}<100>的晶核优先形成,但是再结晶完成以后却会出现较强的立方织构,因此高纯铝箔立方织构的形成主要是借助于立方取向晶粒的取向生长机制实现的.立方取向晶核容易在S取向{123}<634>的形变晶粒之间产生
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纷繁多样的分析方法形成的背景 1、物质形态决定论与城市环境的综合分析 2、自上而下思想观与自下而上的设计途径 3、单一学科的发展与多学科融合思想形成
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•二进制、二进制与十进制的相互转换 •逻辑代数的公式与定理、逻辑函数化简 •逻辑门电路的逻辑符号及逻辑功能 •组合电路的分析方法和设计方法 •典型组合逻辑电路的功能 10.1数字电路概述 10.2逻辑门申路 10.3逻辑函数及其化简 10.4组合逻辑电路的分析与设计 10.5组合逻辑部件
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7.3 负反馈对放大电路性能的改善 7.4 负反馈放大电路的分析方法 7.5 负反馈放大电路的稳定问题
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