时序电路：含记忆元件、有反馈、输出与原来状态有关。 介绍基本记忆单元电路触发器，主要内容有电路结构、工作原理和逻辑功能。 介绍时序电路的基本概念、组成结构、逻辑功能，时序电路的分析方法与设计方法。 触发器 时序电路概述 同步时序电路的分析 同步时序电路的设计 异步时序电路

1.2.1 支路电流法 1.2.2 节点电位法 1.2.3 电源模型的等效互换 1.2.4 迭加定理 1.2.5 等效电源定理 （1）戴维南定理 （2）诺顿定理

§1 确定性时间序列分析方法概述 §2 移动平均法 §3 指数平滑法 §4 差分指数平滑法 §5 自适应滤波法 §6 趋势外推预测方法 §7 平稳时间序列模型 §8 ARMA 模型的特性 §9 时间序列建模的基本步骤

第1章半导体二极管 1.3二极管电路的分析方法 1.3.1理想二极管及二极管特性的折线近似 1.3.2图解法和微变等效电路法

2.1刚体平面运动的简 2.2.用分析方法研究平面图形的运动 2.2.1.运动方程 2.2.2平面图形的角位移、角速角加速度 2.2.3.平面图形上点的运动分析

§2.1 基本分析方法 2.1.1 支路电流法 2.1.2 结点电位法 §2.2 基本定理 2.2.1 迭加定理 2.2.2 等效电源定理 (一)戴维南（戴维宁）定理 (二)诺顿定理*（自学）

纷繁多样的分析方法形成的背景 1、物质形态决定论与城市环境的综合分析 2、自上而下思想观与自下而上的设计途径 3、单一学科的发展与多学科融合思想形成

本文研究了拟稳态时各向异性表面张力作用下柱晶界面的生长行为.在运用渐近分析方法求解柱晶界面形态数学表达式的基础上,分析在不同各向异性表面张力强度影响下柱晶界面形态的变化.各向异性表面张力对柱晶界面形态有显著影响.在柱晶生长开始阶段,柱晶部分界面首先向内收缩,当收缩达到某个临界值后,界面开始向外生长.柱晶界面沿着优先生长方向更快地生长.柱晶界面形态上形成突起变形,各向异性表面张力强度越大,柱晶界面形态的突起变形越明显

２.1. 刚体平面运动的简化 ２.2. 用分析方法研究平面图形的运动 2.2.1. 运动方程 2.2.２.平面图形的角位移、角速角加速度 2.2.3. 平面图形上点的运动分析

§1.1 电路的基本概念与定律 1.1.1 电路中的物理量 1.1.2 电路元件 1.1.３ 基尔霍夫定律 §1.2 电路的分析方法 1.2.1 支路电流法