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Introduction to Insulated Gate Bipolar Transistors Prepared by: Jack Takesuye and scott Deuty Motorola inc INTRODUCTION As power conversion relies more on switched applications The IGBT is, in fact, a spin-off from power MOSFET
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MITSUBISHI FAST RECOVERY DIODE MODULE RM400DY665 HIGH POWER SWITCHING USE HVDi(High Voltage Diode) Module INSULATED TYPE
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Patented free-floating silicon technology Low on-state and switching losses Optimized for use as freewheeling diode in GTo converters Standard press-pack housing, hermetically cold-welded Cosmic radiation withstand rating
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External dimensions(Unit: mm) High frequency rectification (1)Small power mold type(PMDS) (2) Ultra low VF (3)Very fast recovery
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1SR154400/1sR154-600 Diodes Rectifier diode 1SR154400/1sR154600 EXternal dimensions(Units: mm) (1)General purpose rectification (2) Surge absorption
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第一章绪论 一、软件工程产生的背景 二、软件工程的有关概念 三、软件生存周期及软件过程模型 四、软件开发方法 五、软件开发工具
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一、国际贸易术语与国际物流 二、国际物流业务流程分析 三、国际物流发展展望
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上海交通大学:《英语文学导论 An Introduction to English Literature》课程教学资源(PPT讲稿)Jane Austen and her Pride and Prejudice
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上海交通大学:《英语文学导论 An Introduction to English Literature》课程教学资源(参考资料)three aspects of hawthorne's puritanism
文档格式:PDF 文档大小:2.7MB 文档页数:29
上海交通大学:《英语文学导论 An Introduction to English Literature》课程教学资源(参考资料)Hawthorne and the problem of new england
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