自Ox轴的原点 O作一矢量,使 它的模等于振动的 振幅A,并使矢量才 在Oxy平面内绕点 O作逆时针方向的 匀角速转动,其角 速度ω与振动频率 相等,这个矢量就 叫做旋转矢量

一、平面极坐标 质点在A点的位置由(r,θ)来确定. 二、圆周运动的角速度

8.1多元函数的基本概念 一、平面点集n维空间 二、多元函数概念 三、多元函数的极限 四、多元函数的连续性

研究曲面的一种方法截痕法 了解曲面的形状的方法之一是用坐标面和平行于坐标面 的平面与曲面相截,考察其交线的形状,然后加以综合,从而了解曲面的立体形状.这种方法叫做截痕法

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、格林公式 二、平面上曲线积分与路径无关的条件 三、二元函数的全微分求积

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

一、概述 1、桁架—组成结构的各杆两端都是用铰相连接的,各杆主要承受拉力或压力

一、力线平移定理 力线平移定理(参见教材43页叙述,对比理解):当把作用在物体上的力P平行移至物体上任一点时,必须同时附加一个力偶。此附加力偶矩等于力P对新作用点的力矩

§1-1 概述 §1-2 荷载的分类 §1-3 平面结构的支座及支座反力 §1-4 结构的计算简图 §1-5 杆件结构分类 §1-6 变形固体及其基本假定 §1-7 杆件的几何特性与基本变形形式