本章主要阐述了整体护理与护理程序，整体护理的概念，发展背景，思想内涵，整体护理的实践特征 ；护理程序的概念、理论基础及发展历史，以及对护理时间的指导意义，护理程序的基本步骤 ，其中重点内容是护理程序的基本步骤。本章共2学时，为理论课

【題解】 本文節選自《史記》卷 六，據中華書局1982年 版點校本。 《史記》原名《太史公 書》或《太史公記》， 東漢以後才有現稱。 作者司馬遷(約前145—前 89年)，字子長，西漢左 馮翊夏陽(今陝西韓城)人。 青年時代以15年時間壯 遊天下，增長了見識和 才幹

【題解】 本文節選自《史記》卷四十七，據中華書局 1982年版點校本。 司馬遷對孔子的人格和思想極爲敬慕和推崇， 同時也認爲孔子所創立的儒學傳世久遠，影響 深廣，所以特地爲孔子立了“世家”。在本文 中，司馬遷用十分精煉的文字，詳實生動地記 述了孔子豐富的人生經歷和複雜而又崇高的人 格特徵，全面準確地概括了孔子現實而又理想 的精深思想。由此可見司馬遷的認識境界和史 學功力

通过本章的学习，将能够： 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响； 2. 对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同； 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用； 4. 描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别； 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质； 7. 列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

一、课程总体设想 外国文学作品选是汉语言文学专业必修课程。本课程在第 3—4 学期开设， 共 64 学时。每学期课时为 32，周课时 2。 本课程精选世界文学史中具有经典意义的作家作品进行教学。基本思路是：

一、1960年11月，日本广岛市一男子因不堪忍受工厂噪声折磨刺杀工厂主。 二、1961年7月，日本东京青年因不堪忍受客货车的噪声自杀身亡。 三、1981年，在美国的现代派露天音乐会。 四、华盛顿时间 1991年4月12日上午11点半，美国南部的迈阿密商业机场上的恐怖试验

一、课程总体设想 外国文学史是汉语言文学专业的专业必修课。本课程开设时间为第 6 学期，共 48 课时。 本课程以史论的方式进行教学，基本思路是以世界文学总体发展为线索，将欧美文 学和东方文学两部分有机融合，尽量研究东西方文学在世界历史发展进程中不同时期的 特征和相互关系，并注重理清东西方文学中文学精神的传承和演变

一、社会主义法的本质与特征 本质特征—阶级性与人民性、权利性与义务性、国家强制与人民自觉遵守二、社会主义法的制定 议案的提出议案的审议草案的表决、通过法律的公布

本书的目的是介绍各种常见的分布及其应用,为此需要 些概率论和数理统计的预备知识,这些知识对理解全书是 重要的、本章将介绍:事件、概率、随机变量、分布函数、 分布密度、矩和各种母函数等将上述这些内容推广至多个 随机变量随机向量的情形(见第五节也是应随后 章的需要而设立的,第五节数学形式稍为复杂一些,数学基 础不够的读者可跳过该节,先读第二章,待今后需要时再回 过来读它那时有了许多具体分布的背景,再读这一节就不 会有太多的困难在今后几章中涉及到一些统计应用,这就 需要知道总体、样本等概念,为此在第七节我们简单地介绍 了这些概念,以及参数估计和假设检验的提法