2.3.1 CMOS IC中的寄生效应 2.3.2 SOI工艺 2.3.3 CMOS版图设计规则

 2.1.2 MOS结构和分类  2.2.1 N阱CMOS工艺  2.2.2 深亚微米CMOS工艺

第一节引言 一、集成电路的制造需要非常复杂的技术,它主要由半导。 二、由于SOC的出现,给IC设计者提出了更高的要求,也

4.1 电阻、电感和电容的测量 4.2 半导体二极管、三极管与场效应管的测量 4.3 集成电路的测试

第一节引言 信息产业值占国民经济总值的40%~60%是支柱 微电子工业是国民经济信息化的基石 集成电路是微电子技术的核心 如果以单位质量的“钢”对国民生产总值的贡献为1来 计算,则小轿车为5,彩电为30,计算机为1000,而 集成电路则高达2000

本章讨论几种常用的时序模块，如计数器、寄存器、移位寄存器以及由它们组成的序列信号发生器等。 计数器可分为同步、异步两种；同步计数器的工作频率高，异步计数器电路简单。 移位寄存器分为左移、右移及双向。 第一节 计数器 一、四位二进制同步计数器 二、四位二进制可逆计数器 三、中规模异步计数器 第二节 寄存器 第三节 序列码发生器 第四节 序列码发生器 一、反馈型序列码发生器 二、计数器型序列码发生器 第五节 时序模块的应用

一、实验内容: 对74HC139电路的片选信号Cs支路进行分析,确定其域值电压,输入输出 延迟及功耗,并给出Cs支路的版图设计

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

6.1 输入缓冲器 6.2 输出缓冲器 6.3 ESD保护电路 6.4 三态输出的双向I/O缓冲器

本章学习重点在TTL和CMOS集成电路的外部特性，主要有两个方面：一是输入与输出之间的逻辑功能；二是外部电气特性及其主要参数。 第一节 标准TTL与非门 第二节 其它类型TTL门电路 第三节 ECL逻辑门电路 第四节 I2L逻辑门电路 第五节 NMOS逻辑门电路 第六节 CMOS逻辑门电路 第七节 逻辑门的接口电路