一、教学原则 二、教学原则与教学规律、教学原理规律是教学活动中客观存在的、必然的、稳定的联系;原理是对规律的说明和阐述;原则是对规律的反映,是为实现教学目的而人为制订的基本工作准则。 三、教学原则的意义

研究了还原剂云南煤和脱硫剂SH对硫酸渣在直接还原焙烧过程中提铁降硫效果的影响.采用X射线衍射与扫描电镜方法分析了云南煤与脱硫剂SH的作用机理.结果表明:在高温还原气氛下,硫酸渣中的黄铁矿生成具有挥发性的气态单质硫和气态羰基硫、金属铁和非磁性的陨硫铁;硫酸渣中的赤铁矿和磁铁矿则被还原为金属铁;云南煤对硫酸渣在焙烧过程中的脱硫效果比较明显,但无法达到要求的指标;添加脱硫剂SH可以进一步降低还原铁中的硫,其机理是脱硫剂与硫酸渣中的黄铁矿在直接还原焙烧过程中反应生成金属铁和没有磁性的硫化钙,通过磨矿-磁选的方法将硫化钙与金属铁分离,从而达到脱硫目标

第一节杂环化合物的分类和命名 第二节含一个杂原子的五元杂环吡咯、呋喃、噻吩 第三节含一个杂原子的苯并五元杂环-吲哚 第四节含两个杂原子的五元杂环体系 第五节含一个杂原子的六元杂环-吡啶 第六节含两个和三个氮原子的六元杂环体系 第七节含一个杂原子的苯并六元杂环喹啉和异喹啉 第八节嘧啶和嘌呤

一、礼仪的原则 是指行礼致仪时应遵循的一些基本要求。具体说来有以下几个方面: (1)平等原则: 现代礼仪的平等原则,是指以礼待人,有来有往,即不能盛气凌人,也不 能卑躬屈膝。平等原则是现代礼仪的基础,是现代礼仪有别于以往礼仪的最主 要原则

借鉴流体黏性的表征方式,引入粉体颗粒表观黏度的概念表征粉体颗粒间的相互作用力,基于能量耗散原理,利用旋转黏度计测定了含SiO2纳米添加剂的Fe2O3颗粒在不同温度条件下的表观黏度.实验结果表明,Fe2O3颗粒表观黏度随温度升高而增大,纳米SiO2的加入使颗粒表观黏度明显降低,主要原因是纳米SiO2对Fe2O3颗粒形成了包覆,抑制了颗粒间的团聚和烧结.此外,本研究利用微型流化床研究了含纳米SiO2的Fe2O3颗粒在流化还原过程中发生黏结失流的过程,进一步验证了纳米SiO2对Fe2O3颗粒表观黏度的影响.结果表明,加入纳米SiO2显著提高了还原样品的金属化率,延长了还原过程中的黏结时间;扫描电镜分析表明纳米SiO2有效包覆在Fe2O3颗粒表面,降低了铁原子的扩散活性,并充分阻隔新鲜铁之间的接触,抑制新鲜铁的烧结,从而导致Fe2O3颗粒之间难以形成黏结点,由此证明纳米SiO2对流化床内Fe2O3颗粒的还原过程中的黏结失流具有明显抑制作用

1目的要求 (1)摄取钠原子在可见光区的发射光谱。从所得光谱计算钠原子3p轨道能量。 (2)了解原子发射光谱的概貌及其与原子中电子运动能级间的关系,对微观粒子运动的量子化现象有初步的感性认识

实验室条件下,进行了碳饱和铁水还原CaO-SiO2-Al2O3-MgO-V2O5渣中V2O5反应的动力学研究.在考察了各种因素对还原反应速度和反应程度影响的基础上,进一步探讨了还原反应机理,计算了各种条件下的表观速度常数.研究表明:高温、合适碱度、大铁渣比以及高初始V2O5含量,使得还原反应进行得较快,效果较好.反应达到平衡之前,还原反应为表观一级反应.计算得到还原反应的表观活化能为23.21kJ·mol-1,表明反应的限制性环节为铁液中V的扩散传质

基于电子背散射衍射（EBSD）技术，利用极射赤面投影图，提出了一种不依赖于残余奥氏体，对协变相变产物的原奥取向进行重构的简易方法.计算结果表明，利用铁素体的{110}α极图中三个贝恩组的交点可以成功重构出原始奥氏体取向，并且精度可达2°；同时，该方法还可以对局部微区或者变体选择很严重的原奥取向进行重构，误差仍可控制在2°之内，具有其他重构方法无可比拟的优点.位向关系具体种类并不影响对原奥取向的重构，采用该方法进行原奥取向重构时不需要预先知道具体的位向关系，并且适用于位向关系处在K-S与N-W关系之间的所有协变相变过程.通过运用该方法重构原奥取向，本文研究了高温奥氏体化过程中的奥氏体行为.研究发现当采用较高的温度奥氏体化时会出现奥氏体孪晶，奥氏体孪晶的出现与奥氏体化温度有关

在还原气氛下进行了红土贫铁矿的还原焙烧实验,采用正交实验设计方法,以C/O、焙烧时间和焙烧温度为因素,在还原气氛下得到了最佳工艺条件为:C/O是0.8,还原焙烧温度1350℃,时间为25min.另外发现,在更长的还原焙烧时间或焙烧温度下,产生珠铁分离现象.为接近实际生产条件,进行了敞开氧化气氛实验,由于表面氧化的原因,金属化率仅为50%左右,通过控制球团表面气体搅动,可减轻表面氧化现象,进而提高金属化率,而通过氧化气氛下的实验结果,也证明了实际生产的可行性

试验研究熔融还原过程条件下SiO2还原氧化行为及对过程的影响.研究表明:喷吹煤粉燃烧温度、煤的灰份组成影响SiO2还原过程.通过适当选择煤种和控制氧煤喷枪的喷吹位置,可以减轻SiO2还原挥发对过程的不利影响