4. 1 偏置电路和耦合方式 4. 2 放大器的性能指标 4.3 基本组态放大器 4.4 差分放大器 4.5 电流源电路及其应用 4.6 集成运算放大器及集成功率放大器 4.7 放大器的频率响应 4.8 放大器的噪声

2.1 晶体三极管工作原理 2.2 晶体三极管其他工作模式 2.3 埃伯尔斯—莫尔模型 2. 4 晶体三极管的伏安特性曲线 2. 5 晶体三极管的小信号电路模型 2. 6 晶体三极管电路分析方法 2. 7 晶体三极管的应用原理 2. 8 集成工艺

第10章功率接口 在MCS-51单片机系统中有时需要单片机控制各种各样的外设,如电动机、电磁铁,继电器、灯泡等,显然这些不能用单片机的线来直接驱动,而必须经过单片机的接口电路来驱动。此外,为了隔离和抗千扰,有时进行电路隔离。本章将介绍常用的各种接口器件以及它们与MCS51单片机的接口电路。 掌握要点 1.MCS-51常用接口器件 2.MCS-51常用接口设计

第4章电路定理 (Circuit Theorems) 4.1叠加定理(Superposition Theorem) 4.2替代定理(Substitution Theorem) 4.3戴维宁定理和诺顿定理 (Thevenin -Norton Theorem) 4.4特勒根定理(Tellegen's' Theorem) 4.5互易定理(Reciprocity Theorem) 4.6对偶原理(Dual Principle)

一、 教学基本要求 1、掌握阻抗的串、并联及相量图的画法； 2、了解正弦电流电路的瞬时功率、有功功率、无功功率、功率因数、复功率的概念及表达形式；

第二章(2)电路定理 主要内容: 一、迭加定理和线性定理 二、替代定理 三、戴维南定理和诺顿定理 四、特勒根定理 五、互易定理

采用交流阻抗谱研究热风整平无铅喷锡处理印制电路板（PCB-HASL）和无电镀镍金电路板（PCB-ENIG）在盐雾环境下的电化学腐蚀行为,并结合体式学显微镜、扫描电镜、X射线能谱等手段分析两种不同表面处理工艺电路板的腐蚀产物形貌、组成和镀层失效机制.结果表明：盐雾环境下,PCB-HASL和PCB-ENIG均发生严重腐蚀;镀Sn层开始发生局部腐蚀,随后几乎整个表面都发生腐蚀,出现类似均匀腐蚀的现象,镀金板主要发生微孔腐蚀.在PCB-HASL腐蚀过程中,Cl-的侵蚀作用促进Sn层的腐蚀,后来由于逐渐形成大量的覆盖在镀层表面的腐蚀产物,使得腐蚀速率降低;而在PCB-ENIG腐蚀过程中,微孔处形成含Cl-电解质薄液层,Ni与Au构成腐蚀电偶,从而加速Ni的腐蚀,最终使Cu基底裸露,造成电路板失效

采用交流阻抗谱研究了无电镀镍浸金处理电路板在模拟电解质溶液(0.1mol·L-1 NaHSO3)中的电化学腐蚀行为,并结合体视学显微镜、扫描电镜、X射线能谱分析等手段分析了试样表面腐蚀产物形貌、组成和镀层失效机制.无电镀镍浸金处理电路板在NaHSO3溶液中的耐蚀性较差,浸泡12h试样表面局部即发生变色,伴随有微裂纹的产生.电解液能够通过裂纹直接侵蚀Cu基底,并在微裂纹周围生成较多的枝晶状结晶产物,其主要组分为Cu2S.该结晶腐蚀产物的不断生成使局部区域中间Ni过渡层与Cu基底结合部位存在较大的横向剪切应力,最终造成Ni镀层的脱离与鼓泡现象

本文讨论了用于功率电子电路的晶闸管模型的建立方法。给出了一个适用于计算机辅助设计的非线性集中参数的晶闸管等效电路模型。模型的建立是基于对器件内部载流子运动的物理过程进行模拟,分析了器件的少数载流子注入;空间电荷区内部载流子的产生与复合;雪崩倍增效应;基区宽度调制效应及电荷存贮效应。将反映这些物理过程的数学公式用非线性电路元件表示,组成了由非线性电阻、电容及受控电流源所构成的晶闸管模型。利用这个模型可以分析晶闸管开关过程的动态非线性特性

第二章(1)电路基本分析方法 本章内容 1网络图论初步 2支路电流法 3网孔电流法 4回路电流法 5节点电压法 6改进节点法 7.割集电压法