一、格林公式 二、平面上曲线积分与路径无关的条件 三、二元函数的全微分求积

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

17.1非线性电阻 17.2非线性电容和非线性电感 17.3非线性电路的方程 17.4小信号分析法 17.5分段线性化方法 17.6*工作在非线性范围的运算放大器 17.7阶非线性电路的状态平面 17.8*非线性振荡电路 17.9*混沌电路简介 17.10*人工神经元电路

一、力线平移定理 力线平移定理(参见教材43页叙述,对比理解):当把作用在物体上的力P平行移至物体上任一点时,必须同时附加一个力偶。此附加力偶矩等于力P对新作用点的力矩

§1-1 概述 §1-2 荷载的分类 §1-3 平面结构的支座及支座反力 §1-4 结构的计算简图 §1-5 杆件结构分类 §1-6 变形固体及其基本假定 §1-7 杆件的几何特性与基本变形形式

第3章草图 3.1草图的作用 3.2草图工作平面 3.3绘制草图 3.4编辑草图 3.5草图约束与定位

§1.1复数 §1.2平面点集 §1.3连续函数 §1.4解析函数 §1.5函数可导的充要条件 §1.6初等解析函数

§1 机械平衡的目的、分类及方法 §2 刚性转子的平衡设计 §3 刚性转子的平衡试验 §4 平面机构的平衡

§3.1机构的组成 §3.2机构的运动简图 §3.3机构的自由度和具有确定运动条件 §3.4平面闭链机构组成原理及结构分析

3.1已知图(a)力系中,F1=150N,F2=200N,F3= 300N,F=F=200N; 求力系向点O简化的结果;合力的大小及其与原点的距离