7-1 概述 7-2 模糊逻辑控制技术软件的开发工具（Pop Fuzzy 2.0） 8-1 模糊逻辑硬件电路 8-2 模糊计算机

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

3.1概述 在这一章里,主要介绍沙子转变成晶体, 以及晶园和用于芯片制造级的抛光片的生产步 骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的 晶园,最早使用的是1英寸,而现在300mm直 径的晶园已经投入生产线了。因为晶园直径越 大,单个芯片的生产成本就越低。然而,直径 , 越大,晶体结构上和电学性能的一致性就越难 以保证,这正是对晶园生产的一个挑战

5.1概述 在这一章中,将解释污染对器件工艺、器件性能和器件可靠性的影响,以及芯片生产区域存 在的污染类型和主要的污染源。同时也简要介绍洁净室规划、主要的污染控制方法和晶片表面的清洗工艺等

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

本章将学习建立信号与系统的数学描 述与数学表示,借以研究信号与系统分 析中的基本概念及基本性质,为以后各 章的学习打下基础

•拉氏变换的定义——从傅立叶变换到拉氏变换 •拉氏变换与傅氏变换的关系 •拉氏变换的性质，收敛域 •卷积定理(S域) •系统函数和单位冲激响应

一、Z变换的基本概念和基本性质 二、变换的域分析 三、离散系统的系统函数 四、离散系统的频率响应

本课程的重要性和要 解决的问题 信息时代的特征 用信息科学和计算机技术的理论 和手段来解决科学、工程和经济 问题 对各种信息进行提取、传输和处 理,必然涉及到信号与系统

一、本课程要研究的问题是什么? 二、本课程的任务和地位。 三、为什么要学习该课程? 四、怎样才能学好该课程?