7.6.1 设计负反馈放大电路的一般步骤 7.6.2 设计举例

6.5.1 实际集成运放的主要参数 6.5.2 集成运放应用中的实际问题

5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法

3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数

3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法

2.4.1 求差电路 2.4.2 仪用放大器 2.4.3 求和电路 2.4.4 积分电路和微分电路

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大

11.3.1 概述 11.3.2 变压器耦合功率放大电路 11.3.3 互补对称功率放大电路原理 11.3.4 无输出变压器(OTL)的互补对称功放电路 11.3.5 无输出电容(OCL)的互补对称功放电路 11.3.6 实际功放电路 11.3.7 集成功率放大器(教材12.8)

§１.１ 晶闸管的结构和工作原理 §１-２晶闸管的特性 §１-３晶闸管的主要参数 §１-４大功率二极管 §１-5 散热技术

§7-1 斩波器基本原理 §7-2 晶闸管斩波器 §7－3 多象限运行 §7-4 交流调压器基本原理 §7-5 单相交流调压器 §7-6 三相交流调压器