3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法

2.4.1 求差电路 2.4.2 仪用放大器 2.4.3 求和电路 2.4.4 积分电路和微分电路

第6章基本放人电路 6.8电子电路中的负反馈 6.8.1负反馈的概念 6.8.2负反馈的类型及分析方法 6.8.3负反馈对放大器性能的影响

一、单项选择题(本大题共15小题,第110小题,每小题1分,第11-15小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 1.当PN结承受反向电压时,其内部电流关系为() A扩散电流大于漂移电流 B扩散电流等于漂移电流 C扩散电流小于漂移电流

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分 1.在图所示的二极管中,当温度上升时,电流将() A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定

一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大

§１.１ 晶闸管的结构和工作原理 §１-２晶闸管的特性 §１-３晶闸管的主要参数 §１-４大功率二极管 §１-5 散热技术

§5-1 对晶闸管触发电路的基本要求 §5-2 单结晶体管移相触发电路 §5-3 锯齿波同步移相触发电路 §5-4 触发脉冲与主电路的同步 §5-5 干扰及抑制措施

§3-1 有源逆变的工作原理及实现的条件 §3-2 三相半波逆变电路 §3-3 三相桥式逆变电路 §3-4 逆变颠覆及其防止 §3-5 功率因数

3.1晶体管的开关特性 3.2TL集成逻辑门 3.3ECL集成逻辑门与I2L电路 3.4Ms逻辑门 3.5cmos电路