在透射电镜(TEM)下原位观察了,Ce-TZP陶瓷材料中裂纹扩展过程,发现其与一些金属中裂纹扩展过程较相似,先在主裂纹前端形核微裂纹、微裂纹长大、然后主裂纹与微裂纹连接向前扩展。在裂尖应力场的作用下,裂尖附近有部分四方相发生马氏体相变,增加了材料的断裂韧性。同时还观察到裂纹弯曲和转向。实验还发现在该材料中主裂纹尖端并不尖锐,而为钝裂纹

历史的长河流过了石器时代，流过了青铜时代和铁器时代，终于在二十世纪的门口进入了五光 十色的高分子时代。尽管高分子材料作为“时代”姗姗来迟，却已在不知不觉中伴随人类走过了几 千年的路程。蚕丝、棉、麻等高分子材料早在公元前就进入了人类的生活，而材料骄子—橡胶的“发 现”，更为人类自觉开发和使用高分子材料开启了大门

半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ·本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体, 其纯度在999%(8~10个9)。 ·掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常 强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者 硼(B),就会使电阻率降低20万倍

第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用

1.材料的物理性质表述为电学性质、磁学性质、光学性质和热学性质。 2.材料的硬度表征为布氏硬度、洛氏硬度和维氏硬度等。 3.材料的化学性质主要表现为催化性质和防化性质

pn结是在一块半导体中用掺杂的办法 做成两个导电类型不同的部分。一般pn 结的两边是用同一种材料做成的,也称为同质结〃。广义上说,如果结两边是用不同的材料制成,就称为`异质结”, 但一般所说的指两种不同半导体材料的 接触构成的半导体异质结。根据结两边的半导体材料的导电类型,异质结可分为两类:反型异质结(pn,n-p)和同型 异质结(n-n,p-p)。另外,异质结又可 分为突变型异质结和缓变型异质结,当前人们研究较多的是突变型异质结

电磁特异材料研究（高频腔实验资料）：Studies on high order mode of bell-shaped prototype cavities

超重力显著增大两相间的重力差，可用于加速固?液、液?液、液?气高温黏稠混和体的相分离速度；超重力具有定向性，避免搅拌等技术产生的熔体湍流返混，可用于深度脱除金属液中细小夹杂物；超重力条件下固?液界面张力微不足道，可容易实现微孔渗流；超重力条件下进行结晶凝固，按结晶顺序实现固?液分离，可用于制备梯度材料；超重力加速固?液分离，可细化凝固组织晶粒，但对非共晶熔体也易产生宏观偏析。将超重力技术应用于冶金及材料生产过程中，有望解决高温冶金和材料制备的一些难题，如复杂矿冶金渣有价组分的分离提取、冶炼渣中金属液的分离回收、多金属的熔析结晶分离、复杂矿直接还原铁的渣?金分离；在高端金属材料方面，应用超重力技术，有望解决近零夹物金属材料的精炼除杂难题，提高梯度功能材料、金属?陶瓷复合材料、多孔金属材料、器件材料表面电沉积修饰的制造水平。此外，在材料科学研究方面，超重力凝固可作为一种材料基因组高通量制备方法

本教材中电子材料、元器件知识内容丰富，主要有常用的电子材料、电阻器、电容器、电感元件、电接触件、晶体管、集成电路、显示器件、压电器件、电声器件、片状元器件、电池等。教材中对材料、元器件的理论原理介绍简洁，增加了应用性、实践性的内容，使学生系统地了解、认识常用的电子材料及元器件，学会识别、检测和应用，提高实践能力。在学习过程中要注意理论联系实际，要注意掌握各种材料与元器件特点和基本的技术参数，比较、理解其在实践中的应用。每章前的【重点提示】列出了该章要掌握的主要知识内容，便于学习者了解内容概况，有的放矢地学习

通过水热法在160℃条件下成功制备了手风琴状石墨烯/MnO2复合材料.通过场发射扫描电镜、透射电镜、X射线衍射、X射线能量色散谱、BET法以及拉曼光谱对材料进行表征.结果表明,手风琴状二氧化锰与层状石墨烯之间具有十分高效的贴合,这种创新性设计有效地利用了石墨烯的高电导率、大比表面积以及二氧化锰的优秀赝电容行为.电化学测试结果给出在0.2 A·g-1时,样品的比电容高达138 F·g-1,数倍增强于单独的二氧化锰或石墨烯样品