氢气氛下区熔拉制的鼓棱无位错硅单晶,原生晶体经化学腐蚀,观察不到缺陷,包括微缺陷。但当块状热处理后,经腐蚀常常观察到尺度mm数量级的氢致缺陷(φ型缺陷、麻坑)和微缺陷氢沉淀。为了消除这些缺陷,原生单晶需片状供应,片厚应小于1mm,或中照后的区熔(氢)硅单晶,片状,940℃、0.5h退火,均能消除之。在电力电子器件的应用中,管芯等级合格率可保持在80%以上

《复变函数与积分变换》课程教学资源（PPT课件）第五章 留数及应用 第二讲 留数及其应用、对数留数与辐角原理

2.1 芯片内部结构及特点 2.2 C54x的内部多总线结构 2.3 C54x的中央处理单元(CPU) 2.4 C54x的存储器结构 2.5 复位操作及省电方式 2.6 中断系统 2.7 流水线 2.8 引脚及其功能

层析（chromatography） 原理：待分离蛋白质溶液（流动相）经过一个固态物 质（固定相）时，根据溶液中待分离的蛋白质颗粒大 小、电核多少及亲和力等，使待分离的蛋白质组分在 两相中反复分配，并以不同的速度流经固定相而达到 分离蛋白质的目的

为了研究大同矿区在煤炭开采过程中煤和瓦斯突出形成的冲击地压、采矿工程围岩破坏等动力灾害的形成原因及其防治对策,采用改进型CSIRO空心包体应变计,对大同矿区进行了四个测点的应力解除测量实验以及室内温度标定和围压率定实验.根据实验结果,利用地应力计算机程序优化求解出每个测点地应力张量,再结合矿区地质构造分析地应力与矿区地质构造的关系.通过研究,获得了大同矿区的地应力分布规律及其与地质构造的关系

概述 现实的对象参数多为模拟信号: 利用计算机进行信息处理,必须将其转成数字信号

8.1 光电器件 8.1.1 光敏电阻 8.1.2 光敏二极管和光敏晶体管 8.1.3 光电池 8.1.4 光电耦合器件 8.1.5 电荷耦合器件 8.1.6 光电传感器的应用 8.2.3 光纤传感器 8.2 光纤传感器 8.2.1 光纤结构及其传光原理 8.2.2 光纤基本特性

5.1 按键、键盘及其接口 5.2 显示及显示器接口 5.3 A/D转换器接口 5.4 D/A转换器接口 5.5 行程开关、晶闸管、继电器与单片机的接口

(1).直接氧化与间接氧化的概念和作用； (2).脱碳反应的作用及热力学、动力学条件； (3).硅锰氧化反应、回锰的原因及拟制； (4).脱磷反应及其热力学条件； (5).脱硫反应及其热力学条件； (6).钢液脱氧方式； (7).西华特定律及气泡冶金； (8).不锈钢去碳保铬热力学条件及计算； (9).锌精矿焙烧、铜锍吹炼、粗铜精炼、镍冶金、铅冶炼中涉及的氧化反应方程式的写法及计算

8—1 模拟集成电路设计——电流模法 8—2 电流反馈型集成运算放大器 8—3 开关电流——数字工艺的模拟集成技术 8—4 跨导运算放大器(OTA)及其应用 8—5 在系统可编程模拟器件(ispPAC)原理及其软件平台