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5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较
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一、填空(本题25分) 1.共射共集共基 2.饱和区截止区放大区正偏反偏 3.锗PP集电基射 4.提高降低加宽减小增大 5.多级放大电路单级放大电路
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延安大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版,实验指导书)附录二 常用模拟集成电路器件
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延安大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版,习题解答)第十章 直流电源
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延安大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版,实验指导书)设计实验四 可调直流稳压电源设计
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延安大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版,实验指导书)设计实验三 函数信号发生器的设计
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延安大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版,实验指导书)设计实验二 测量放大器设计
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延安大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版,实验指导书)设计实验一 单级低频放大器的设计
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3.1 概述 3.2 半导体二极管门电路 3.3 CMOS门电路 3.4 其它类型的MOS集成电路 3.5 TTL门电路
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延安大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版,习题解答)第八章 波形的发生和信号的转换
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