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13.1 磁场的主要物理量和基本性质 13.2 磁路的基本定律 13.3 铁磁物质的磁化过程 13.4 非线性恒定磁通磁路的计算
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1 微波基本测量 2 二维电场的模拟实验 3 电磁波的布拉格衍射实验 4 射频图像传输 5 偏振光实验 6 光源光谱特性的测量 7 光磁共振实验 8 半导体光电导实验 9 光栅实验 10 单色仪的标定实验 11 迈克尔逊干涉仪 12 半导体光伏效应实验 13 半导体霍尔效应实验 14 PN 结正向压降温度特性实验 15 半导体少数载流子寿命测量 16 四探针测电阻率实验
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一、静电平衡条件: (1)导体内部任何一点处的电场强度为零; (2)导体表面处电场强度的方向,都与导体表面垂直
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一、电介质对电场的影响 相对电容率 二、电介质的极化
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 聚类分析的概念 一、聚类分析的基本思想 ★相似的归为一类。 ★模式相似性的度量。 ★无监督分类算法。 二、特征量的类型 ★物理量----(重量、长度、速度) ★次序量----(等级、技能、学识) ★名义量----(性别、状态、种类)  模式相似性测度  类的定义与类间距离  聚类的算法
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一、孤立导体的电容 孤立导体的电容为孤立导体所带电荷Q与其电势V的比值
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一、电容器的电能 二、静电场的能量 能量密度
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3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性
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5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性
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10.1 平板X射线成像的物理过程 10.2 平板X射线成像器件的主要技术指标 10.3 有源平板x射线成像器件的像素结构与工作原理 10.4 平板X射线成像系统架构 10.5 平板X射线成像器件的应用
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