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用气固相反应原理分析了单晶硅热氧化机理。在氧化中期,考虑到热应力对扩散系数的影响,从而得出了硅氧化的一个新模型,即化学反应控速——四次方混合控速——扩散控速模型。用该模型处理了文献[4]中的数据与本实验结果均得到满意的相关系数。另外,用扫描电镜和透射电镜对氧化膜进行了观察,分析了单晶硅的氧化膜生长机理

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2.1 概述 2.1.1 计算机体系结构的基本概念 2.1.2 Pentium微处理器的工作模式 2.2 实模式寄存器结构 2.2.1 段寄存器与存储器分段 2.2.2 指令指针寄存器 2.2.3 通用寄存器 2.2.4 标志寄存器 2.3 实模式内存地址空间组织 2.3.1 内存地址空间和数据组织 2.3.2 逻辑地址与物理地址 2.3.4 堆栈操作 2.4 实模式输入/输出地址空间