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一、电容器的电能 二、静电场的能量 能量密度
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一、电介质对电容的影响 相对电容率 二、电介质的极化 无极分子电介质:(氢、甲烷、石蜡等) 有极分子电介质:(水、有机玻璃等)
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11-1圆柱形电容器内、外导体截面半径分别为R1和R2(R1
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§1 固体的能带 §2 导体、绝缘体和半导体(conductor .insulator) §3 半导体的导电机构 §5 半导体的其他特性和应用
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所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产 生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔 实验目的 发现的 实验原理 根据霍尔效应做成的霍尔器件,广泛应用于传感和开关设备
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5.1金属-氧化物一半导体(MoS)场效应管 5.1.1图题5.1.1所示为 MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种 沟道。如是增强型,说明它的开启电压V=?如是耗尽型,说明它的夹断电 压vp=?
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一、晶体中电子的速度 二、电子在外电场作用下的加速度,有效质量,等能面 三、导体、绝缘体和半导体,布洛赫 四、振荡,空穴 五、金属的电导 六、霍尔效应
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1911年,Kamerlingh Onnes 发现低温超导体。从此人们对超导理论和超导技术展开了深入广泛的研究
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8. 1 顺磁性和抗磁性 8. 2 磁化强度和磁化电流 8. 3 介质中的磁场 8. 4 磁场强度 介质中磁场的基本方程式 8. 5 铁磁性 8. 6 超导体及其基本电磁学性质 8. 7 介质中电磁场的方程组
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研究问题:讨论导体中稳恒电流的形成及其规律以及直流电路的计算。电路 的基本规律包含两方面的内容,一方面是组成电路的各种元件(电阻和电源等) 的伏安特性,另一方面是电路整体的规律,即基尔霍夫定律
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