• 1.MSI的应用 • 2.组合逻辑电路的分析方法 • 3.组合逻辑电路的设计方法 Sec3.1 概述 Sec3.2 组合逻辑电路的分析方法 Sec3.3 组合逻辑电路的设计方法 Sec.3.5 多路选择器 Sec3.6 译码器 Sec.3.7 组合逻辑电路的VHDL设计方法 • Sec3.7.1 VHDL设计语言 • Sec3.7.2 用VHDL设计全加器 • Sec3.7.3 VHDL多路选择器设计 • Sec3.7.4 VHDL设计译码器方法

9.1 门电路 9.1.1 模拟电路与数字电路的区别 9.1.2 基本门电路 9.1.3 复合门电路 9.1.4 集成门电路 9.2 组合逻辑电路分析基础 9.2.1 计数制与代码 9.2.2 逻辑函数的化简 9.2.3 组合逻辑电路 9.3 编码器 9.4 译码显示电路 9.5 数值比较器和数据选择器

6.1.1某集成运放的一单元电路如图题6.1.1所示,T、T2的特性相同,且BJT的B足够 大,问:(1)T、T2和R组成什么电路?在电路中起什么作用?(2)写出Ie和Ie2的表达式。 设|Vm|=0.7V,Vc和R均已知。 解(1)T1、T2和R组成镜像电流源电路,在电路中作 为T3的恒流源负载,可提高放大电路的电压增益

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

9.3.2 有源高通滤波电路 9.3.3 有源带通滤波电路 9.3.4 二阶有源带阻滤波电路 9.3.1 有源低通滤波电路

9.7.2 变压器反馈式LC振荡电路 9.7.3 三点式LC振荡电路 9.7.4 石英晶体振荡电路 9.7.1 LC选频放大电路

一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。 (1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;() (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;() (3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;() (4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;() (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作:()

4.7.1 单时间常数RC电路的频率响应 4.7.2 BJT的高频小信号模型及频率参数 4.7.3 单级共射极放大电路的频率响应 4.7.4 单级共集电极和共基极放大电路的高频响应 4.7.5 多级放大电路的频率响应

4.5.1 共集电极放大电路 4.5.2 共基极放大电路 4.5.3 放大电路三种组态的比较

4.4.1 温度对静态工作点的影响 4.4.2 射极偏置电路 1. 基极分压式射极偏置电路 2. 含有双电源的射极偏置电路 3. 含有恒流源的射极偏置电路