提出以溶胶凝胶法制备含银Na2O-B2O3-SiO2玻璃的工艺及制备过程,用X射线衍射及红外吸收光谱分析制备过程中结构变化,用光学吸收谱、透射电镜及能谱分析确定银胶体粒子的存在及其分布.结果表明,溶胶凝胶法制备与传统熔融法制备的玻璃有相同的结构,且通过适当的热处理工艺可以获得尺寸有一定分布的银粒子.该方法既可以用于颜色玻璃的制备,其产品也可作为制备其他材料的原料

采用磁控溅射方法,分别在纯Fe以及低硅钢基片上沉积富Si膜,并对其进行真空扩散热处理.通过能谱分析及X射线衍射研究了Si在纯Fe与低硅钢基体中的扩散特征,运用DICTRA软件建立了扩散模型.研究发现Si在纯Fe基体中扩散时发生γ-Fe(Si)→α-Fe(Si)相转变,扩散速率受控于相界面的迁移.当沿截面Si含量梯度不足以驱动相界面正向迁移时,延长扩散时间会发生相界面回迁现象,最终趋于单一相内均匀化扩散过程.Si在低硅钢基体中的扩散符合Fick扩散第二定律

齿轮传动 1概述 2齿廓啮合基本定律 3渐开线及渐开线齿轮 4渐开线标准齿轮各部分名称和几何尺寸 5渐开线直齿圆柱齿轮传动 6渐开线齿廓的切制原理、根切和最少齿数 7斜齿圆柱齿轮传动 8齿轮的材料及热处理 9轮齿的失效形式及计算准则 10圆柱齿轮传动的强度计算 11圆锥齿轮传动 12蜗杆传 13轮系

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

以Cu-Al水雾化合金粉末为原料,通过内氧化方法制备了Al2O3弥散强化铜复合材料,使用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)结合X射线衍射等手段,对复合材料进行了综合研究.结果表明:γ-Al2O3弥散相粒子在基体内均匀分布,尺寸约6nm,间距30～50nm.挤压态棒材的相对导电率为87%IACS,软化温度达850℃.挤压态的25mm弥散强化铜棒材不经过任何中间热处理,直接冷拉拔得到1mm的铜丝,其抗拉强度高达680MPa

用端淬法研究了微量钙对45钢淬透性的影响,以及对正火态、调质态及淬火低温回火态的显微组织和室温冲击韧性的影响;用俄歇能谱(AES)分析了沿晶断口表面钙的含量.结果表明,微钙钢的淬透性稍低于无钙钢;微钙钢的奥氏体晶粒粗化、珠光体片层间距显著增大,3种热处理状态下的室温冲击韧性均有所降低.这些现象与中碳合金钢中所得结果有明显不同.根据钙在奥氏体晶界的偏聚现象及其与其他元素的偏聚互作用理论,对此进行了讨论

第十章齿轮传动 一、轮齿的失效形式 二、齿轮材料及热处理 三、齿轮传动 四、齿轮传动的精度 五、直齿圆柱齿轮传动的作用力及计算载荷 六、直齿圆柱齿轮传动的齿面接触强度计算

10.1复合材料 材料的复合化是材料发展的必然趋势之一。古代就出现了原始型的复合材料,如用草 茎和泥土作建筑材料;砂石和水泥基体复合的混凝土也有很长历史。19世纪末复合材料开 始进入工业化生产

用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在不同温度下对两种样品退火.结果表明:在NiCo厚度相同的情况下,以NiFeCr作为缓冲层的样品的各向异性磁致电阻(AMR)值明显高于Ta作为缓冲层的样品.X射线衍射(XRD)的结果表明,NiFeCr/NiCo薄膜的晶粒平均尺寸大于Ta/NiCo薄膜,且两种样品的磁膜/缓冲层界面存在较大差异,这可能是造成两者AMR差异的原因.此外,对样品进行温度适当的热处理可以明显改善薄膜的物理性质

9.1 铝及铝合金 铝合金是仅次于钢铁用量的金属材料。据调查,在铝合金市场中,有23%用量消耗于 建筑业和结构业,2%用于运输业,21%用于容器和包装,而电气工业占10%。在航空工 业中,铝合金的用量占着绝对优势