2003级《大学数学I》第一学期期末考试试题 一。填空题(每小题3分共15分) 2.1=fxy)y改变积次序为1= 3.假设f(x)是周期为2的函数,它在[-,]内的表达式为f(x)=x,则f(x)展开成Fourier级数时,bn=

一、压延时物料的流动与变形 二、建立物理模型——提出简化假设条件 三、流场分析 四、钳住区的速度分布与压力分布 五、压延过程中的几个效应 六、横压力与功率计算

第一节 相关关系、基本概念 一. 变量相关的概念 二. 相关系数及其计算 第二节 简单线性回归分析 第三节 非线性回归分析

第一节 时间序列的对比分析 第二节 时间序列的趋势分析 第三节 季节变动分析 第四节 循环波动分析

采用伪半固态触变成形工艺制备了40%、56%和63%三种不同SiC体积分数颗粒增强Al基电子封装材料，并借助光学显微镜和扫描电镜分析了材料中Al和SiC的形态分布及其断口形貌，测定了材料的密度、致密度、热导率、热膨胀系数、抗压强度和抗弯强度.结果表明，通过伪半固态触变成形工艺可制备出的不同SiC体积分数Al基电子封装材料，其致密度高，热膨胀系数可控，材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中.随着SiC颗粒体积分数的增加，电子封装材料密度和室温下的热导率稍有增加，热膨胀系数逐渐减小，室温下的抗压强度和抗弯强度逐渐增加.SiC/Al电子封装材料的断裂方式为SiC的脆性断裂，同时伴随着Al基体的韧性断裂

8.1 毕奥–萨伐定律 8.2 匀速运动点电荷的磁场（在第7章已讲） 8.3 安培环路定理 8.4 利用安培环路定律求磁场的分布 8.5 与变化电场相联系的磁场 8.6 平行电流间的相互作用

2.1 基本放大电路的组成及工作原理 2.2 图解分析法 2.3 微变等效电路法 2.4 放大器的偏置电路与静态工作点稳定 2.5 共集电极和共基极电路 2.6 场效应管放大电路简介

第8章磁场的源 8.1毕奥-萨伐尔定律 8.2匀速运动点电荷的磁场(非相对论) 8.3~8.4安培环路定理 利用安培环路定理求磁场的分布 8.5与变化电场相联系的磁场 8.6平行电流间的相互作用力

企业其他财务信息的分析 一、会计报表附注的基本内容 二、会计政策、会计估计变更及会计差错分析 三、或有事项分析 四、关联方及其交易的分析

§ 5-7 S 域分析（拉氏变换|复频域分析法） § 5-9 双边拉氏变换分析法