第四章 电气设备绝缘预防性试验 4.1 绝缘老化 4.2 绝缘电阻和吸收比和泄露电流的测量 4.3 介质损耗角正切tgδ的测量 4.4 局部放电及其测量（Partial Discharge,PD) 4.5 电压分布的测量 4.6 绝缘状态的综合判断 第五章 绝缘的高电压试验 5.1 工频交流耐压试验 5.2 直流高压试验 5.3 冲击高电压试验 5.4 高电压测试技术

例1设在金属与n型半导体之间加一电压,且-Si接高电位,金属接低电位,使半导体表面层内出现耗尽状态。 (1)求耗尽层内电势V(x) (2)若表面势V=0.4V;外加电压5V,施主浓度D=101cm-3,求耗尽层厚度。设

第1章 VLSI概论 第1部分 硅片逻辑 第2章 MOSFET逻辑设计 第3章 CMOS集成电路的物理结构 第4章 CMOS集成电路的制造 第5章 物理设计的基本要素 第2部分 从逻辑到电子电路 第6章 MOSFET的电气特性 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 第8章 高速CMOS逻辑电路设计 第9章 CMOS逻辑电路的高级技术 第3部分 VLSI系统设计 第10章 用Verilog硬件描述语言描述系统 第11章 常用的VLSI系统部件 第12章 CMOS VLSI引运算电路 第13章 存储器与可编程逻辑 第14章 系统级物理设计 第15章 VLSI时钟和系统设计 第16章 VLSI电路的可靠性与测试

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