计算机中数的表示 1、定点数： 所有的位都表示数值。 （1）最高位表示符号的叫有符号数。 （2）所有位表示大小的叫无符号数。 2、浮点数：一部分位表示尾数部分，一部分位表示指数部分。 C语言中，所有整数都用定点数表示，所有实数都是浮点表示

利用自制的微动腐蚀测试系统,研究1Cr13不锈钢在3.5%NaCl溶液中,不同的阴极保护电位下的微动腐蚀行为.结果表明:未加阴极保护时,微动使自然腐蚀电位快速负移到稳定值;微动腐蚀失重量随阴极保护电位的负移而逐渐减小,-670mV时失重量达到最小值,此后失重量随保护电位的负移而逐渐增加,电位负于-800mV时失重量大于未加阴极保护时的失重量

存储器习题 设CPU有16根地址线,16根数据线,并用MRQE作为访存控制信号,WR为读写控 制信号。现有下列存储芯片 ROM:2KB×8位,8KB×8位; RAM:IKB4位,2KB×8位,8KB×8位

采用H-800透射电子显微镜及正电子湮没技术,观察了CSP工艺热轧低碳带钢轧制过程中位错形貌,并计算了终轧后轧件的位错密度。结果表明:随着轧制过程的进行,累积变形量的增加,位错密度逐渐提高。CSP工艺比传统工艺生产的同规格产品位错密度高约一个数量级

第十六章位移法 一、位移法的基本原理 二、位移法计算举例 三、位移法与力法的对比

制备了Al2O3/Al-Cu和Al2O3/Al-Cu-Si原位复合材料,采用SEM观察显微组织,XRD分析物相,EDS分析相所含元素.初步结果表明,原位合金化和原位颗粒共同强化金属基体是可行的,合金元素Cu和Si出现在基体中,细小增强颗粒Al2O3呈弥散分布

采用真空感应熔炼法制备Cu-6%Ag和Cu-24%Ag,并进行退火和时效处理,观察了合金中析出相与基体的位向关系及界面结构,分析了析出相对合金强化和导电特性的影响.析出相与Cu基体之间具有(100)Cu//(100)Ag及〈110〉Cu//〈110〉Ag位向关系,存在半共格界面,在(111)面上平均每隔9个晶面间距出现一个刃型位错以协调点阵错配.析出相与Cu基体这种特定的位向关系及界面结构能有效地阻碍基体中位错的运动,在产生析出相强化作用的同时几乎不影响合金的电传导行为.随Cu-6%Ag时效时间的延长,析出相数量增多,合金硬度显著上升而电阻率持续下降.时效过程中析出相数量、形态及界面结构是导致合金力学和电学性能变化的主要原因

采用FLAC模拟了断层-围岩系统的形成过程及位移的分布规律．计算中采用了莫尔-库仑与拉破坏复合的破坏准则,峰后岩石本构关系为线性应变软化．两条断层带(或剪切带)汇交时系统形成,之后其承载能力下降．在断层带左侧,由于在系统承载能力降低的过程中,弹性应变的快速恢复,出现了快速回跳现象(系统失稳)．在断层带之外,位移分布是均匀的．在断层带位置,存在较大的位移梯度．系统承载能力越低,位移梯度越大．远离加载端的区域先回跳,然后回跳区域逐渐扩大,向加载端传播,直到整个系统都回跳．上述过程持续的时间步数较少,说明了系统失稳的突发性．系统整体回跳发生于应变软化阶段．

一. 教学目的 理解广义力和广义位移的概念、虚功原理、单位荷载法、图乘法、互等定理。能利用单位荷载法正确的计算结构在荷载作用及支座移动下和温度变化下的位移

1、配位化合物结构及命名； 2、价键理论； 3、配位平衡受各类平衡的影响及相关计算； 4、配位滴定曲线； 5、金属指示剂的应用原理（封闭、僵化）