一、内容 1、概念 2、器件

通过本章的学习，将能够： 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响； 2. 对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同； 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用； 4. 描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别； 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质； 7. 列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用

一、组合电路的分析方法与设计方法 二、常用MSI组合逻辑器件

寻址存储器（RAM 和 ROM） ROM 和 RAM 属于通用大规模器件，一般不需要自行设 计，特别是采用 PLD 器件进行设计时； 但是在数字系统中，有时也需要设计一些小型的存储器 件，用于特定的用途：临时存放数据，构成查表运算等。 此类器件的特点为地址与存储内容直接对应，设计时将 输入地址作为给出输出内容的条件；

1.半导体的导电特性 (1)掺杂特性。 (2)热敏和光敏特性

4.1 光纤连接器 4.2 光纤耦合器 4.3 波分复用/解复用器 4.4 光开关

一、半导体器件概述(总的要求:掌握) 1半导体材料的导电特性及导电机制

西安石油大学电子工程学院：《电路分析基础 Elementary Circuit Analysis》精品课程教学资源（实验教学）电子器件

1.1 PN结1 1.2 半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 双极型三极管 1.5 场效应晶体管

西安石油大学：《电子技术基础（模拟）》课程教学资源_元器件命名规则及识别