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1、教案三要素:教学目标、设计意图、教学过程 2、教学目标的确定 3、设计意图的形成 4、教学过程的展示
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隋代至盛唐时期,道教的发展进入一个相当重要阶段。在这个历史时期,老子崇拜成为 道教思想发展的主流;该时期的封建统治者出于稳固社会之需要,在思想上采取儒、道、释 “三教并用”的政策,从而推动了各自的学术探索。在这个时期中,道经大量增加,著名道教学者辈出,他们所提出的一些思想观念在哲学史上也具有一定影响
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第三章矩阵的初等变换 3.1矩阵的秩 1.子式:在An中,选取k行与k列,位于交叉处的k2个数按照原来的 相对位置构成k阶行列式,称为A的一个k阶子式,记作D 对于给定的k,不同的k阶子式总共有C个 2.矩阵的秩:在A中,若 (1)有某个r阶子式D,≠0; (2)所有的r+1阶子式D+1=0(如果有r+1阶子式的话) 称A的秩为r,记作 rankA=r,或者r(A)r.规定:rank
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1.考试成绩的组成:期末成绩80%+平时成 绩20%左右(出勤+作业十平时小测验)。 2.往届的考试情况 关于学习重点 三部分:课堂例题。作业,小测验
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实体建模(曲面)——表示整个对象的体积 特点:信息最完整,复杂的实体形较网格对象容 易构造。灵活方便但占用资源多,建筑建模 能采用Pline 就不用实体。 实体建模分三种方法:构造基本实体形、组合基 本实体成复杂实体、对实体作圆角、倒角和 其他编辑处理
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在二维和三维空间中通过移动、旋转和按比例 缩放对象使其与其他对象对齐。给要对齐的对 象加上源点,给要与其对齐的对象加上目标点。 如果要对齐某个对象,最多可以给对象加上三 对源点和目标点
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复习要求 1.对角线法计算二阶和三阶行列式.上(下三角行列式,对角行列式 2.会求排列的逆序数(P.7,例4) 3.理解n阶行列式的定义D=A=det(ai=(-1)apa2p2anpn 4.熟练掌握行列式的性质,用行列式的性质计算行列式
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一、企业宏观环境(PEST)分析 二、企业内部环境分析 三、SWOT分析法
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本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备,重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习,将能够: 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积(CVD)反应的8个基本步骤,包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制,解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统,解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性,给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质
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3.2.1 三点式振荡电路 3.2.2 差分对管振荡电路 3.2.3 举例
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