1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

 理解数据链路层服务原理:  差错检测和纠正  共享广播信道: 多址接入  链路层编址  可靠传输、流量控制：done!  链路层实现  以太网  虚拟局域网 5.1 introduction, services 5.2 error detection, correction 5.3 multiple access protocols 5.4 LANs ▪ addressing, ARP ▪ Ethernet ▪ switches ▪ VLANS 5.5 link virtualization 5.6 data center networking 5.7 a day in the life of a web request

6.1 有机半导体中的电子状态与载流子 6.2 载流子的注入与传输机理 6.3 OTFT的结构、原理与特性 6.4 OTFT中的关键材料 6.5 有机半导体材料的成膜技术 6.6 OTFT中的掺杂 6.7 OTFT中的图形化技术

本章重点是叠加定理、戴维南定理和最大功率传输定理，难点是应用不同定理分析电路问题。 1. 叠加定理、齐性定理 2. 替代定理 3. 戴维南定理和诺顿定理 4. 特勒根定理 5. 互易定理 6. 对偶原理

重点： 1. 阻抗和导纳； 2. 正弦稳态电路的分析； 3. 正弦稳态电路的功率分析； 4. 串、并联谐振的概念； 9.1 阻抗和导纳 9.2 阻抗（导纳）的串联和并联 9.3 正弦稳态电路的分析 9.5 正弦稳态电路的功率 9.6 复功率 9.7 最大功率传输 9.8 串联电路的谐振 9.9 并联电路的谐振

4.1 叠加定理 4.2 替代定理 4.3 戴维宁定理和诺顿定理 4.4 最大功率传输定理 4.5* 特勒根定理 4.6* 互易定理 4.7* 对偶原理

通过本章的学习，学生应重点掌握系统函数Hj()的意义及其在系统分析中的作用；无失真传输条件和理想低通滤波器的概念及其物理不可实现性；希尔伯特变换及系统函数的约束特性；与傅里叶变换相关的基本通信原理和技术

教学目标： 理解理解网络层的主要功能，理解数据报和虚电路的区别，理解路径选择的作用与实现 ； 理解IP、ARP和ICMP协议的作用 ； 了解IP报文的格式； 掌握IP地址的规划及子网划分技术，掌握网络层中源到目标分组传输的实现机理； 主要内容： 7.1 网络层功能概述 7.2 TCP/IP的网际层 7.3 路由与路由协议 7.4 路由器在网络互连中的作用

大纲要求： 汇编、编译、解释系统的基础知识和基本工作原理。 程序设计语言的基本成分一数据、运算、控制和传输以及过程（函数）调用。 各类程序设计语言的主要特点和适用情况