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目录 第1章传感与检测技术的理论基础 第2章传感器概述 第3章应变式传感器 第4章电感式传感器 第5章电容式传感器 第6章压电式传感器 第7章磁电式传感器 第8章光电式传感器 第9章半导体传感器 第10章超声波传感器 第11章传感器在工程检测中的应用
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第一章概述 1、微型计算机的产生和发展 2、计算机的组成和工作原理 3、单片机简介 4、半导体存储器 5、计算机中的数和编码
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《DSP 器件与应用》课程教学大纲 《EDA 技术》课程教学大纲 《PLC 原理与应用》课程教学大纲 《VC 程序设计》课程教学大纲 《MATLAB 基础》课程教学大纲 《半导体器件及应用》课程教学大纲 《测控电路》课程教学大纲 《传感器与检测技术》课程教学大纲 《大学生心理健康教育》课程教学大纲 《大学生职业发展与就业指导》课程教学大纲 《大学物理 A》课程教学大纲 《单片机原理与应用》课程教学大纲 《电磁场与电磁波》课程教学大纲 《电机及拖动基础》课程教学大纲 《电力电子技术》课程教学大纲 《电路分析》课程教学大纲 《电气控制技术》课程教学大纲 《电视原理与技术》课程教学大纲 《电子测量技术》课程教学大纲 《发光与显示技术》课程教学大纲 《高频电子线路》课程教学大纲 《光电子学》课程教学大纲 《机械设计基础》课程教学大纲 《机械制图》课程教学大纲 《控制电机》课程教学大纲 《模拟电子技术基础》课程教学大纲 《数字电子技术基础》课程教学大纲 《数字系统设计与 Verilog HDL》课程教学大纲 《数字信号处理》课程教学大纲 《通信原理》课程教学大纲 《微机原理与接口技术》课程教学大纲 《信号与系统》课程教学大纲 《自动控制原理》课程教学大纲 《LabVIEW 虚拟仪器》课程教学大纲 《半导体物理学》课程教学大纲 《电磁兼容基础》课程教学大纲 《高等光学》课程教学大纲 《高速 PCB 设计》课程教学大纲 《工厂供电》课程教学大纲 《光电检测技术》课程教学大纲 《光通信技术》课程教学大纲 《光纤传感器原理与应用》课程教学大纲 《红外检测技术》课程教学大纲 《机电一体化技术与系统》课程教学大纲 《机械加工技术》课程教学大纲 《激光原理与技术》课程教学大纲 《科技写作基础》课程教学大纲 《理论物理概论》课程教学大纲 《数字图像处理》课程教学大纲 《无线传感器网络技术》课程教学大纲 《信息光学》课程教学大纲 《应用光学》课程教学大纲 《专业英语》课程教学大纲 《专业英语》课程教学大纲 《生产实习》教学大纲 《毕业设计》教学大纲 《金工实习》教学大纲 《电子技术工艺》教学大纲 《数字电子技术课程设计》教学大纲 《模拟电子技术课程设计》教学大纲
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固体物理学是二十世纪物理学发展最快的一门学科,几十年来,以固体物理的能带理 论为基础,科学家在半导体、激光、超导磁学等现代科学研究方面取得了重大突破,有 关研究成果已经迅速形成生产力,并带动了整个现代信息科学技术群的高速发展。 由于固体物理学讲述了固体中的原子结构、结合规律、运动状态和能量关系,固体中 电子的运动方程、电子的能带结构、金属导体的导电机制、半导体的基本原理、超导性的 基本规律等,因此,固体物理学已经成为物理类和非物理类专业的大学本科学生的必修课 程之一
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4.1 半导体三极管(BJT) 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.2 共射极放大电路 1. 电路组成 4. 简化电路及习惯画法 2. 简单工作原理 3. 放大电路的静态和动态 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 BJT的小信号建模 4.4.2 共射极放大电路的小信号模型分析 1. H参数的引出 2. H参数小信号模型 3. 模型的简化 4. H参数的确定 • 利用直流通路求Q点 • 画小信号等效电路 • 求放大电路动态指标 4.5 放大电路的工作点稳定问题 • 温度变化对ICBO的影响 • 温度变化对输入特性曲线的影响 • 温度变化对 的影响 • 稳定工作点原理 • 放大电路指标分析 • 固定偏流电路与射极偏置电路的比较 4.5.1 温度对工作点的影响 4.5.2 射极偏置电路 4.6 共集电极电路和共基极电路 • 电路分析 • 复合管 • 静态工作点 • 动态指标 • 三种组态的比较 4.6.1 共集电极电路 4.6.2 共基极电路 4.7 放大电路的频率响应 4.7.1 单时间常数RC电路的频率响应 4.7.2 单级放大电路的高频响应 • RC低通电路的频率响应 • RC高通电路的频率响应 4.7.4 单级放大电路的低频响应 4.7.4 多级放大电路的频率响应 • 多级放大电路的增益 • 多级放大电路的频率响应 • 低频等效电路 • 低频响应
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利用循环伏安、交流阻抗谱和极化曲线研究了Acidithiobacillus ferrooxidans对软锰矿在模拟浸出溶液(9K基础培养基, A.ferrooxidans, Fe (Ⅲ), A.ferrooxidans+Fe (Ⅲ))中电化学腐蚀行为的影响; 利用模拟有菌/无菌浸出溶液中钝化膜的Mott-Schottky理论比较了有无细菌存在情况下形成的钝化膜的优劣性.结果表明, A.ferrooxidans促进MnO2/Mn2+氧化还原转化, 催化MnO2/Mn (OH)2电极反应; 加速软锰矿/溶液界面电子交换, 无铁存在时A.ferrooxidans使电荷转移内阻降低34%, 比含Fe (Ⅲ)无菌体系低11%;引起软锰矿电极极化, 增强其氧化活性; 加速MnO2向MnO·OH转化及其产物扩散.A.ferrooxidans与软锰矿作用更倾向于间接作用机理.在选取的各模拟电解液(pH值为2.0)中, 0.2~0.4 V区间内软锰矿形成耗尽层, 在模拟浸出溶液中形成的钝化膜都表现出p-n-p-n型半导体性能.在选取的0.2 V极化电位下, 无铁时引入A.ferrooxidans使膜中的施主/受主密度减少, 细菌含有多种基团参与半导体/溶液界面电子转移反应, 接受界面间自由电子或填充空穴, 促使软锰矿与溶液界面物质交换变频繁; 含铁溶液中加入A.ferrooxidans使得钝化膜受主/施主密度增大, A.ferrooxidans降低了膜的耐腐蚀性, 因而促进软锰矿浸出
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4.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路(CMOS共源放大电路) 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管(JFET)及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项
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8.1 半导体三极管 8.1.1 三极管结构与类型 8.1.2 三极管的电流放大作用 8.1.3 三极管的输入特性与输出特性 8.1.4 三极管的主要参数 8.2 三极管放大电路的组成 8.2.1 三极管放大时的三种组态 8.2.2 放大器的组成 8.2.3 放大器的放大倍数及增益 8.3 共发射极放大电路 8.3.1 电路的构成 8.3.2 电路的静态分析 8.3.3 电路的动态分析 8.3.4 共发射极放大电路的特点与应用 8.4 共集电极放大电路 8.4.1 电路的构成 8.4.2 电路分析 8.4.3 共集电极放大电路的特点与应用 8.5 功率放大电路 8.5.1 功率放大电路的类型及特点 8.5.2 OCL功率放大电路 8.5.3 OTL功率放大电路 8.6 单管放大电路实验 8.6.1 实验目的 8.6.2 实验仪器 8.6.3 实验电路 8.6.4 实验内容 8.6.5 思考题 8.7 功率放大器实验 8.7.1 实验目的 8.7.2 实验仪器 8.7.3 实验电路 8.7.4 实验内容 8.7.5 思考题
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《高等数学 A》 《C 语言程序设计》 《C 语言程序设计》实验 《线性代数》 《概率论与数理统计 B》 《模拟电子技术基础 B》 《数字电子技术基础》 《模拟电子技术基础实验》 《数字电子技术基础实验》 《工程制图 C》 《信号与系统》 《信号与系统》实验 《普通物理学 B1》 《普通物理学 B2》 《普通物理实验》 《结构与物性》 《矢量场论与张量》 《电动力学 1》 《复变函数与积分变换》 《应用光学》 《热力学与统计物理 1》 《物理光学》 《量子力学 1》 《科技论文写作》 《固体物理学》 《激光原理与技术》 《光通讯原理与器件》 《光电子技术实验》 《半导体物理与器件》 《光电子技术基础》 《光学传感原理与技术》 《电动力学 2》 《计算物理》 《单片机原理及应用》 《光电信息概论》 《热力学与统计物理 2》 《量子力学 2》 《新型光学材料》 《材料结构表征及应用》 《现代半导体材料及器件技术》 《光学信息处理》 《金工实习 A》 《专业调研》 《认识实习》 《学年论文》 《毕业实习》
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一、选择正确答案填入空内。 (1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是 A.输入电压幅值不变,改变频率 B.输入电压频率不变,改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 (2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是,而 低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C半导体管的非线性特性 D放大电路的静态工作点不合适
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