半导体存储器 第11章 机械工业出版社同名教材 配套电子教案
第11章 机械工业出版社同名教材 配套电子教案
第11章半导体存储器 11.1存储器基本概念 1.存储器的主要技术指标 (1)存储容量 存储单元:能够存储二进制数码1或0的电路 存储容量:存储器含有存储单元的数量
11.1 存储器基本概念 ⒈ 存储器的主要技术指标 第11章 半导体存储器 ⑴ 存储容量 存储单元：能够存储二进制数码1或0的电路。 存储容量：存储器含有存储单元的数量
表示方法: ①按位(存储单元:bit,缩写为小写字母b)数表示; 例如,存储器有32768个位存储单元,存储容量可表 示为32kb。其中1kb=1024b, 1024b×32=32768b; ②按字节(字节单元:Byte,缩写为大写字母B)数 表示。 例如,存储器有32768个位存储单元,可表示为4kB (字节,Byte),4×1024×8=32768b
表示方法： ① 按位（存储单元：bit ，缩写为小写字母b）数表示； 例如，存储器有32768个位存储单元，存储容量可表 示为32kb。其中1kb=1024b， 1024b×32=32768b； ② 按字节（字节单元：Byte，缩写为大写字母B）数 表示。 例如，存储器有32768个位存储单元，可表示为4kB （字节，Byte），4×1024×8=32768b
(2)存取周期 连续两次读(写)操作间隔的最短时间称为存取周期。 存取周期表明了读写存储器的工作速度。 不同类型的存储器存取周期相差很大。快的约ns级, 慢的约几十ms
⑵ 存取周期 连续两次读（写）操作间隔的最短时间称为存取周期。 存取周期表明了读写存储器的工作速度。 不同类型的存储器存取周期相差很大。快的约ns级， 慢的约几十ms
2.存储器结构 地 数 地址线 地址寄存器 址 存储 据 译 单元级K 码矩阵冲数据线 控制线 控制电路 图11-1存储器结构示意图 (1)存储单元地址 (2)地址寄存器和地址译码器 (3)存储单元矩阵 (4)数据缓冲器 (5)控制电路
⒉ 存储器结构 ⑴ 存储单元地址 ⑵ 地址寄存器和地址译码器 ⑶ 存储单元矩阵 ⑷ 数据缓冲器 ⑸ 控制电路
3.存储器的读/写操作 (1)存储器写操作步骤: ①写存储器的主器件将地址编码信号放在地址线上, 同时使存储器片选控制信号CE有效; ②存储器地址译码器根据地址信号选通相应存储单元; ③主器件将写入数据信号放在数据线上,同时使存储 器输入允许信号WE有效; ④存储器将数据线上的数据写入已选通的存储单元
⒊ 存储器的读/写操作 ⑴ 存储器写操作步骤： ① 写存储器的主器件将地址编码信号放在地址线上， 同时使存储器片选控制信号CE有效； ② 存储器地址译码器根据地址信号选通相应存储单元； ③ 主器件将写入数据信号放在数据线上，同时使存储 器输入允许信号WE有效； ④ 存储器将数据线上的数据写入已选通的存储单元
(2)存储器读操作步骤: ①读存储器的主器件将地址编码信号放在地址线上, 同时使存储器片选控制信号CE有效; ②存储器地址译码器根据地址信号选通相应存储单元, 同时将被选通存储单元与数据缓冲器接通,被选通存 储单元数据被cOPY进入数据缓冲器暂存(此时数据缓 冲器对数据线呈高阻态); ③主器件使存储器输出允许信号OE有效,存储器数据 缓冲器中的数据被放在数据线上; ④主器件从数据线上读入数据
⑵ 存储器读操作步骤： ① 读存储器的主器件将地址编码信号放在地址线上， 同时使存储器片选控制信号CE有效； ② 存储器地址译码器根据地址信号选通相应存储单元， 同时将被选通存储单元与数据缓冲器接通，被选通存 储单元数据被COPY进入数据缓冲器暂存（此时数据缓 冲器对数据线呈高阻态）； ③ 主器件使存储器输出允许信号OE有效，存储器数据 缓冲器中的数据被放在数据线上； ④ 主器件从数据线上读入数据
4.半导体存储器的分类 半导体存储器按其使用功能可分为两大类。 (1)只读存储器RoM( Read Only Memory) 用途:存放固定的程序和常数。 特点:①断电后信息不而丢失 ②不能随机写入。 (2)随机存取存储器RAM( Random Access Memory) 用途:存放各种现场的输入输出数据和中间运算结果。 特点:①能随机读写(能跟上微机快速操作) ②断电后信息丢失
⒋ 半导体存储器的分类 半导体存储器按其使用功能可分为两大类。 ⑴ 只读存储器ROM（Read Only Memory） 用途：存放固定的程序和常数。 特点：① 断电后信息不而丢失； ② 不能随机写入。 ⑵ 随机存取存储器RAM（Random Access Memory） 用途：存放各种现场的输入输出数据和中间运算结果。 特点：① 能随机读写（能跟上微机快速操作）。 ② 断电后信息丢失
112只读存储器ROM ROM分类概况 ′MROM(掩模) ROM OTPROM(—次性可编程) PROM(可编程) UVEPROM(紫外线可擦除) EPROM(可擦写可编程)EROM(电可擦除) Flash Memories(闪存) 图11-2ROM分类概况
11.2 只读存储器ROM ROM分类概况
1.掩模ROM( Mask rom) 特点:①用户无法自行写入,须委托生产厂商在制造 芯片时一次性写入。 ②价格低廉,性能稳定可靠。 适用于大批量成熟产品
⒈ 掩模ROM（Mask ROM） 特点：① 用户无法自行写入，须委托生产厂商在制造 芯片时一次性写入。 ② 价格低廉，性能稳定可靠。 适用于大批量成熟产品