本章首先分析半导体存储器的基本结构和工作原理，其次对模拟量与数字量的转换进行简要介绍。 *11.1半导体存储器 *11.2采样和保持电路 11.3 数模转换电路 11.4 模数转换电路

重点掌握ROM/RAM的电路结构,工作 原理和主要控制端的功能, 掌握ROMRAM位扩展和字扩展的方法 掌握ROM(RAM)的基本应用  第1、2学 时：半导体存储器RAM、ROM  第3、4学 时：ROM、RAM的应用  第5、6学 时：PLD（PAL、PLA、GAL）

第三节 SQUID磁敏传感器 第四节 磁通门式磁敏传感器 第五节 感应式磁敏传感器 第六节 半导体磁敏传感器 第七节 机械式磁敏传感器

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路

15-1导体的导电特性 15-2PN结 15-3导体二极管 15-4稳压管 15-5半导体三极管

3.1半导体三极管 3.2共射极放大电路 3.3图解分析法 3.4小信号模型分析法 3.5放大电路的工作点稳定情况 3.6共集电极电路和共基极电路 3.7放大电路的频率响应

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路

3.1 半导体的基本知识 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

第三节 SQUID磁敏传感器 第四节 磁通门式磁敏传感器 第五节 感应式磁敏传感器 第六节 半导体磁敏传感器 第七节 机械式磁敏传感器