1范围 本方法适用于梯恩梯生产废水及排放废水中的一硝基甲苯、二硝基甲苯、三硝基甲苯及 其异构物等主要硝基化合物测定(不包括硝基化合物的盐) 总硝基化合物系指废水中所含的一硝基甲苯二硝基甲苯、三硝基甲苯及其异构物等主 要各硝基化合物含量的总和

利用管式氢处理炉采取固态气相渗氢法进行置氢实验,以研究多孔TC4钛合金置氢过程中吸氢量随置氢温度、置氢时间和相对密度的变化规律,并建立了相应的数学模型.结果表明:当多孔钛合金的相对密度较低时,吸氢量随置氢温度的升高而增加;当相对密度较高时,吸氢量与置氢温度的关系遵循Sievert's定律,与致密钛合金的吸氢特性一致;多孔钛合金随置氢时间的延长,吸氢量增加;随着多孔钛合金相对密度的增加,吸氢量降低

利用微波等离子体辅助化学气相沉积的方法,以H2、CH4和D4(八甲基环四硅氧烷)为沉积先驱物,探索了一种在硬质合金基底上制备出含Si元素的金刚石涂层的新工艺.试图利用这种新的方法,进一步提高金刚石涂层对硬质合金基底的附着力.实验结果表明:当D4的流量相对CH4的流量较大时,得到球团状的胞状组织;只有当D4和CH4的流量相当的情况下,才能沉积出质量较好的金刚石涂层,同时又含有少量的Si使金刚石涂层的附着力较好

实验一 材料的热分析实验——差热热重分析 实验二 荧光光谱分析实验——标准曲线法定量分析药片中的叶酸含量 实验三 气相色谱定性和色谱柱效的测定 实验四 晶体管特性分析实验 实验五 红外吸收光谱分析 实验六 材料的吸收光谱实验 实验七 光纤传感技术实验——马赫-曾德干涉测量 实验八 电阻应变测量技术 实验九 光学变形测量技术

第一节 浸出物测定法 （Determination of Extractive） 第一节 浸出物测定法 （Determination of Extractive） 第三节 可见-紫外分光光度法 （Ultraviolet and Visible Spectrophotometry） 第四节 薄层扫描法 （ Thin Layer Chromatography Scan TLCS ） 第五节 高效液相色谱法 （High Performance Liquid Chromatograph HPLC） 第六节 气相色谱法 （Gas Chromatography GC）

对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)的硅衬底金刚石薄膜,做了在液氮温区注入载流子,升温测其电流-温度关系的实验.观察到as-grown样品有明显的热激发电流峰.重复实验时,峰基本消失.经氢等离子体在~900℃处理2.5h后,再重复实验,该峰又出现.推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的.这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过适当热处理消除的

1适用范围 本方法适用于水和废水中浓度高于5ug/L的苯甲苯、二甲苯、乙苯的测定,一些具有 相似沸点的衍生物和非极性化合物也可用本法测定。包括1,2一二甲苯、1,3一二甲苯、1,4 二甲苯、氯苯、乙烯基苯、1,4一二氯苯、苄基氯、茚

1适用范围 本法适用于饮用水、地下水、地表水、废水中悬浮颗粒物含量小于0.05g/L时有机氮、有 机磷化合物的测定。 有机氮、磷化合物包括莠去津、氰乙酰肼、 metazachlor、乙基对硫磷、甲基对硫磷、喷 达曼萨林、丙唑嗪、另丁津、西玛津、特丁津、氟乐灵、烯菌酮等

概述 硅表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛 应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分--反应炉,因为它是氧化 、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设 备

采用物理气相沉积的方法通过控制生长参数,在硅衬底上获得不同形貌的氧化锌纳米阵列.在金属场发射系统中测量了它们的场致电子发射性能,发现阴极发射电流不稳定主要是由于氧化锌纳米阵列的不均匀性造成的.采用高压励炼技术可以增强氧化锌场发射的稳定性,使电流波动明显降低.此外,形貌对氧化锌纳米阵列的场发射电流密度和阈值电压有明显影响,而且不同形貌的氧化锌纳米阵列的抗溅射能力也不相同