1简单电阻电路的分析 2电路的等效变换方法 电阻网络的等效化简 实际电源的两种模型 含独立电源网络的等效变换 含受控电源网络的等效变换 第一节 电阻串、并、混联电路 第二节 实际电源的两种模型 第三节 含受控源的简单电路分析 第四节 电阻星形联接与三角形联接的等效互换

3.1 基本斩波电路 3.1.1 降压斩波电路 3.1.2 升压斩波电路 3.1.3 升降压斩波电路和Cuk斩波电路 3.1.4 Sepic斩波电路和Zeta斩波电路 3.2 复合斩波电路和多相多重斩波电路 3.2.1 电流可逆斩波电路 3.2.2 桥式可逆斩波电路 3.2.3 多相多重斩波电路

4.1 BJT 4.1 BJT 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.2 基本共射极放大电路 4.3 放大电路的分析方法 4.3.1 图解分析法 4.3.2 小信号模型分析法 • 静态工作情况分析 • 动态工作情况分析 • BJT的小信号建模 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 • 温度变化对ICBO的影响 • 温度变化对输入特性曲线的影响 • 温度变化对 的影响 • 稳定工作点原理 • 放大电路指标分析 • 固定偏流电路与射极偏置电路的比较 4.4.1 温度对工作点的影响 4.4.2 射极偏置电路 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.5.1 共集电极放大电路 • 电路分析 • 复合管 4.5.2 共基极放大电路 • 静态工作点 • 动态指标 • 三种组态的比较 4.7 放大电路的频率响应

以鳞片石墨为原料，采用化学氧化还原法制备了高品质的石墨烯.借助X射线衍射分析、扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察、氮气吸附-脱附实验、恒流充放电实验、循环伏安法和交流阻抗谱技术对石墨烯的结构、形貌、表面性能和超级电容性能进行了系统研究.X射线衍射、扫描电镜和透射电镜结果表明，石墨烯整体上呈现无序结构，外观具有蓬松、透明的薄纱状及本征性皱褶，其BET比表面积为14.2m2·g-1，总孔容为0.06cm3·g-1，平均孔径为17.3nm.交流阻抗谱测试结果表明，石墨烯电极具有较小的阻抗，其等效串联电阻为0.16 Ω，电荷传递电阻为0.55 Ω.恒流充放电和循环伏安测试结果显示：石墨烯电极具有良好的功率特性和循环稳定性，电容特征显著.在2、5、10和20mV·s-1扫描速度下的放电比电容分别为123、113、101和89 F·g-1；即使是50mV·s-1的高扫速，放电比电容仍可达69F·g-1

《电路分析基础》教学大纲 《电工原理》教学大纲 《电路分析基础》教学大纲 《电工技术》教学大纲 《电子技术》教学大纲 《电路与电子技术》教学大纲 《电工基础》教学大纲 《自动化检测与仪表》教学大纲 《微机原理与汇编语言》教学大纲 《单片机原理及接口》教学大纲 《自动控制原理》教学大纲 《离散控制系统》教学大纲 《现代控制理论》教学大纲 《微机原理及应用》教学大纲 《软件工程》教学大纲 《信号与系统》教学大纲 《计算方法》教学大纲 《工程力学》教学大纲 《统计力学》教学大纲 《半导体物理》教学大纲 《固体物理》教学大纲 《量子力学》教学大纲 《半导体物理实验》教学大纲 《现代控制理论》教学大纲 《单片机原理及接口》教学大纲 《电机与拖动基础》教学大纲 《计算机控制技术》教学大纲 《自动控制专业英语》教学大纲 《自动控制系统》教学大纲 《系统仿真技术》教学大纲 《集散控制系统》教学大纲 《电机学》教学大纲 《电力工程》教学大纲 《电力电子技术》教学大纲 《电气测试基础》教学大纲 《信号与系统》教学大纲 《自动控制专业英语》教学大纲 《集成电路工艺》教学大纲 《集成电路分析与设计》教学大纲 《集成电路实验》教学大纲 《超大规模集成电路 CAD》教学大纲 《集成电路课程设计》教学大纲 《电气控制设备》教学大纲 《电力系统分析》教学大纲 《电气测试技术》教学大纲 《半导体器件》教学大纲

台并直流电动机,-220V,=15k n1000r/min,定液率几=85%,电回路总电阻(包括 电刷接触电阻R0.2,励磁回路总电阻R=110 将电机接在L=220V的直流中网上,并用原动机拖动使 其作发电机运行:(1)当保持发电机电电流为电动机 额定工况下的枢电流时,求发电机的转速、电磁转矩、 输出的电功率;(2)当该电机作发电机运行但其输出电 功率为0时,求发电机的转速(不计电枢反应的影响)

放大电路的功能是利用三极管的电流控制作用， 或场效应管电压控制作用，把微弱的电信号（简称信 号，指变化的电压、电流、功率）不失真地放大到所 需的数值，实现将直流电源的能量部分地转化为按输 入信号规律变化且有较大能量的输出信号。放大电路 的实质，是一种用较小的能量去控制较大能量转换的 能量转换装置。 放大电路组成的原则是必须有直流电源，而且电 源的设置应保证三极管或场效应管工作在线性放大状 态；元件的安排要保证信号的传输，即保证信号能够 从放大电路的输入端输入，经过放大电路放大后从输 出端输出；元件参数的选择要保证信号能不失真地放 大，并满足放大电路的性能指标要求

一、孤立导体的电容 1.电容的定义 电荷在导体表面的分布必须保证满足导体的静电平衡条件。对于孤立导体,电荷在导体表面的相对分布情况由导体的几何 形状唯一确定,因而带一定电量的导体外部空间的电场分布以及导体的电势亦完全确定.根据叠加原理,当孤立导体的电量增 加若干倍时,导体的电势也将增加若干倍,即孤立导体的电势与其电量成正比 =Cv 比例系数C称为孤立导体的电容

电枢电动势 armature electromotive force 一、产生:电枢旋转时,主磁场在电枢绕组中感应的电动势简称为电枢电动势。 二、性质:发电机:电源电势(与电枢电流同方向 三、电动机:反电势(与电枢电流反方向)

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项