一、教案的三要素 二、教学目标的确定 三、设计意图的形成 四、教学过程的展示

1、教案三要素：教学目标、设计意图、教学过程 2、教学目标的确定 3、设计意图的形成 4、教学过程的展示

隋代至盛唐时期，道教的发展进入一个相当重要阶段。在这个历史时期，老子崇拜成为 道教思想发展的主流；该时期的封建统治者出于稳固社会之需要，在思想上采取儒、道、释 “三教并用”的政策，从而推动了各自的学术探索。在这个时期中，道经大量增加，著名道教学者辈出，他们所提出的一些思想观念在哲学史上也具有一定影响

一、狭义的工具变量法（IV） 二、间接最小二乘法(ILS) 三、二阶段最小二乘法(2SLS) 四、三种方法的等价性证明 五、简单宏观经济模型实例演示 六、主分量法的应用 七、其它有限信息估计方法简介 八、k级估计式

第十三章瞬态过程 1.瞬态过程和换路定律。 2.三要素法确定RC和RL电路的瞬态过程表达式确定三要素

实体建模（曲面）——表示整个对象的体积 特点：信息最完整，复杂的实体形较网格对象容 易构造。灵活方便但占用资源多，建筑建模 能采用Pline 就不用实体。 实体建模分三种方法：构造基本实体形、组合基 本实体成复杂实体、对实体作圆角、倒角和 其他编辑处理

在二维和三维空间中通过移动、旋转和按比例 缩放对象使其与其他对象对齐。给要对齐的对 象加上源点，给要与其对齐的对象加上目标点。 如果要对齐某个对象，最多可以给对象加上三 对源点和目标点

第三章复杂直流电路 1.掌握基尔霍夫定律及其应用,学会运用支路电流法分析计算复杂直流电路 2.掌握叠加定理及其应用。 3.掌握戴维宁定理及其应用

一、企业宏观环境(PEST)分析 二、企业内部环境分析 三、SWOT分析法

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质