12.1 电工仪表的类型、误差和准确度 12.2 指针式仪表的结构及工作原理 12.3 电流、电压、功率及电能的测量 12.4 电阻的测量

重点：掌握比例、加减、积分运算电路的工作原理和运算关系,利用“虚短”和“虚断”的概念分析各种运算电路输出电压和输入电压运算关系的方法,根据需要选择运算电路；滤波的有关概念,有源滤波电路的识别,各种滤波电路的用途及它们幅频特性的定性分析。为了训练学生的读图能力,电路的识别是课程的重点；对运算关系的分析是学习运算电路的重点；而对于滤波电路,电路的定性分析比定量计算重要。难点：运算电路和有源、滤波电路的识别,对数、指数运算电路和有源滤波电路的分析计算

4.1 半导体三极管 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 共射极放大电路的工作原理 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应

4.1负反馈放大电路的组成和基本类型 引言 4.1.1反馈放大电路的组成及基本关系式 4.1.2负反馈放大电路的基本类型 4.1.3负反馈放大电路分析

§2.1 放大的概念与放大电路的性能指标 §2.2 基本共射放大电路的工作原理 §2.3 放大电路的分析方法 §2.4 静态工作点的稳定 §2.5 晶体管放大电路的三种接法 §2.6 场效应管及其基本放大电路 §2.7 基本放大电路的派生电路

3.1 电子轰击源（Electron impact ionization,EI） 3.2 化学电离源（Chemical ionization source, CI） 3.3 场致和场解吸电离源（FI & FD) 3.4 快原子轰击源( Fast atom bombardment, FAB)和液体二次离子质谱 （Liquid secondary ion mass spectrometry, LSIMS） 3.5大气压电离（Atmospheric pressure ionization, API） 3.6 基质辅助激光解吸电离（Matrix assisted laser desorption ionization, MALDI) 3.7 无机质谱电离源 3.8 二次离子质谱(Second ion mass spectrometry, SIMS)

第一章EDA技术概述 1.1EDA技术及其发展 一、什么是EDA? Electronic Design Automation即电子设计自动化

第一章 电力电子技术实验概述 §1-1 实验的特点和要求 §1-2 实验准备 §1-3 实验实施 §1-4 实验总结 第二章 实验项目 实验一*、晶闸管的测试及导通关断条件测试实验 实验二*、单结晶体管触发电路和单相半波可控整流电路 实验三、单相桥式全控整流及有源逆变电路实验 实验四*、三相桥式全控整流电路性能研究实验 实验五*、直流斩波电路原理实验 实验六*、单相交流调压电路实验 第三章 电力电子电路 MATLAB 仿真实验初步 实验一 单相桥式全控整流电路的建模与仿真 实验二 三相桥式全控整流电路建模与仿真

第十章晶闸管及其应用 10.1工作原理 10.2特性与参数 10.3可控整流电路 10.4触发电路 10.5单结管触发的可控整流电路 10.6晶闸管的其它应用 10.7晶闸管的保护及其它类型

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项