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使用薄膜TEM直接观察了成分相近热处理制度不同的两个炉号GH36合金的基本组织,使用SAD和DF技术做物相分析。结果表明,合金经正常热处理后析出细小弥散分布的VC,尺寸约在2nm~12nm,还有M23C6和N6C、其中VC和M23C6与合金基体的取向关系是[011]vc∥[011]M∥[011]M23C6,(111)VC∥(111)M∥(111)M23C6,(200)VC∥(200)M∥(200)M23C6,通过补充时效后合金中VC颗粒聚集长大,晶界析出的M23C6更多,这种组织及晶界状态有利于改善合金的持久缺口敏感性
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利用转炉钢渣作为原料,采用烧结法制备了碱度(CaO/SiO2质量比)分别为0.5、0.6和0.7的微晶玻璃.通过X射线衍射分析、扫描电镜观察和能谱分析等手段,结合样品收缩率与力学强度测试结果,研究了在不同热处理条件下三种微晶玻璃的结构与性能的变化规律.微晶玻璃的力学强度主要受基础玻璃烧结性能和内部晶体组织结构的影响.烧结收缩率高,内部晶体呈方柱状交织形态,则微晶玻璃的力学强度最好.微晶玻璃的晶相主要为黄长石晶体和辉石晶体,高温条件有利于黄长石晶体生长而促使辉石/黄长石比例减少.碱度为0.6的微晶玻璃收缩率最大,其内部的黄长石晶体呈方柱状交织排列,构成晶体骨架,并同残余玻璃相形成力学强度较高的微观组织,从而使得其具有优异的力学性能
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以茄子为原材料,通过水热处理–后续热解法及直接热解法分别制备出两种不同的茄子衍生多孔碳材料(HBPC和BPC)。以茄子衍生多孔碳材料为载体,采用真空浸渍法负载相变芯材聚乙二醇(PEG2000),制备出聚乙二醇/茄子衍生多孔碳材料复合相变材料。通过扫描电镜、拉曼光谱、压汞法、傅里叶变换红外光谱分析、X射线衍射仪、热重分析仪和差示扫描量热仪对其进行结构表征及性能测试。结果表明,通过直接热解法制得的茄子衍生多孔碳材料为载体的聚乙二醇/茄子衍生多孔碳材料复合相变材料具有更好的相变储热效果,负载聚乙二醇的质量分数高达90.60%,熔融潜热为133.98 J·g?1,达到了较好的定形相变效果及良好的循环稳定性
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第一节 换热设备 第二节 预煮设备(自学) 一、预煮的目的 二、夹层锅 三、链带式连续预煮机 四、螺旋式连续预煮机
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研究了镍基高温合金在1123K,392MPa下周期持久断裂过程中晶界针状碳化物的析出过程。分析了它的形成原因,实验采用二种热处理工艺,得到二种不同的晶界状态:直晶和弯晶。透射电镜分析结果表明,无论何种晶界状态,晶界碳化物都有一个由颗粒状碳化物向针状碳化物转化的过程。而弯晶处理的合金,首先发生由弯晶向平直晶界的转变,即尺寸较大且不规则状的晶界碳化物逐渐断裂成颗粒状排列的晶界碳化物,该过程所需时间较长,这就解释了弯晶合金比如直晶合金针状碳化物量少的原因。提出了一个由颗粒状碳化物向针状碳化物转化的模型
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中锰白口铸铁是适应我国资源和生产条件而研究发展的抵抗磨料磨损材料。由于其优异的经济效益和生产便利,已成功地用于制做砂浆泵体和分级机衬铁等矿山易磨件。本文根据不同成分及热处理的中锰白口铸铁在各类磨料磨损试验机上测试的结果讨论组织对抗磨性的影响及此影响与各类磨料磨损的机制的关系。低应力冲刷磨损的测试是在混砂盘及橡胶轮两种磨损试验机进行。高硬度的马氏体-碳化物组织最抗磨。脆性相的存在对抗磨性不利。硼加入中锰白口铸铁能使碳化物显微硬度和宏观硬度增加,但使强度和韧性降低。硼适量加入对抗磨性有利。这与此类磨损是宏观冲刷磨损机制有关。 高应力碾研磨损的测试是用肖盘对磨和三体滚轮挤轧两种磨损方式进行。抗磨性与硬度和韧性有关,但基体组织的显微硬度时常起决定性影响。中锰白口铸铁采用Cu Cr Mo综合合金化提高淬透性。残留奥体量大对抗磨性不利。这与此类磨损是以显微切削磨损机制为主有关。最后小能量多次冲击磨损的测试是以冲头连续冲撞方式进行。抗磨性与材料的冲击韧性有很大关系。低碳含量,稀土变质处理改变碳化物为断开分布的板块状都可起有利影响。这是由于形变磨损机制在这类磨损中起主要作用。如此可以得出结论,抗磨材料的最合适的组织与磨料磨损的类别和其磨损机制有关
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在较高温度下对烧结NdFeB磁体进行机械破碎制取了磁粉.实验结果表明:当破碎温度升高到合金的三元共晶温度附近时,所得磁粉的矫顽力显著高于室温破碎磁粉的矫顽力.高温破碎磁粉矫顽力的升高与磁体破碎时由低温下穿晶断裂向高温下沿晶断裂的转变直接相关.原因在于高温破碎磁粉中,表层穿晶裂纹数量减少,表面较均匀地被富Nd相包覆,以及颗粒中尖锐棱角部位明显减少.高温破碎磁粉的矫顽力经过适当热处理还能进一步提高
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对FeNiCrAl合金显微组织和力学性能的研究表明:[Ni]/[Cr]0.9(摩尔比)的合金以γ相为基体,[Ni]/[Cr](摩尔比)=0.6~0.8和0.6的合金分别以γ十α双相和α相为基体,合金在不同温度热处理后,由于相的析出或溶解,显示出不同的力学性能
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3.1铁碳合金的组元及基本相 3.1.1纯铁 铁是元素周期表上第26号元素,原子量为55.85,液态 属于过渡族元素。在常压下于1538℃熔化,2738℃气1538 化。铁在20℃时的密度为7.87g/cm3
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一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
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