本书第2版是普通高等教育“十一五”国家级规划教材，被评为2007年江苏省高等学校精品教材；第1版是普通高等教育“九五”国家级重点教材，2002年获全国普通高等学校优秀教材二等奖。修订后全书内容包括：绪论、流体力学基础、能源装置及辅件、执行元件、控制元件、密封件、基本回路、系统应用与分析、系统设计与计算和附录。每章都有习题，书末附有习题参考答案（部分）本书的特点是：将液压部分与气动部分有机地融合在一起编写；强调理论联系实际，书中列举了大量工程实例；除一般机械工业外，适当扩大所涉及的工业领域范围；重视先进技术，突出比例控制系统和集成化元件的应用；

12.2.1边长误差方程式 (12-35)、(12-38) 当k、i其中之一为已知点情况

烟台理工学院：《自动控制原理 Automatic Control Theory》课程教学资源（课件讲稿）第二章 控制系统的数学模型（拉氏变换）

真空电弧重熔镍基高温合金GH220,自耗电极端部熔化区\突出环\内部的镁分布基本均匀;而熔化液层及液固两相区的镁分布不均匀,从熔化液层表面到原始电极区镁含量显著增高。熔化液层中距表面约0.3毫米内的镁含量[Mg]s和重熔锭镁含量[Mg]i均与电极原始镁含量[Mg]e呈直线关系,本试验条件下,[Mg]s=0.18[Mg]e;[Mg]i=0.30[Mg]e。重熔过程的镁挥发主要发生于电极端部熔滴形成阶段,挥发过程主要受控于镁由原始电极向熔化液层-气相界面迁移的速度,传质系数K12=0.107厘米·秒-1。真空感应熔炼GH220,镁挥发受液相边界层中扩散与界面挥发反应的混合控制,并非受控于气相边界层中镁的扩散。在试验条件下,液相边界层中镁的扩散与界面挥发反应总传质系数K23=10-1~10-2厘米·秒-1,而气相边界层中镁扩散的传质系数K4=47.17厘米·秒-1。根据(d[Mg])/dτ=-K23·VA及-K23与工艺参数的关系,建立了镁挥发的数学模型,即[Mg]e与镁加入量、挥发温度、气相压力、保持时间、合金液面面积、溶体体积之间的定量关系式。此模型在实验室和生产条件下均得到了很好的验证,可用于调整真空感应熔炼的工艺参数,实现有效的控制合金镁含量

12.1.1方向误差方程式的建立和组成 一、方向误差方程式的建立 二、测站上方向误差方程式的列立

2.1 理想开关 2.2 MOSFET开关 2.3 基本的CMOS逻辑门 2.4 CMOS复合逻辑门 2.5 传输门电路 2.6 时钟控制和数据流控制

11.2.1测边网条件类型 一、图形条件 二、固定角条件 三、方位角条件 四、纵横坐标条件

3.1 各种常用信号和系统 3.2 一阶系统的时域分析 3.3 二阶系统的时域分析 3.4 高阶系统的时域分析 3.5 线性系统的稳定性分析 3.6 控制系统的稳态误差 3.7 基于MATLAB的线性系统时域分析

11.3.1导线网的条件和条件方程式 单导线1个角度条件2个坐标条件 导线网1个结点产生1个圆周角条件,条件分组平差 11.3.2边角连续网的条件及条件方程式

11.1三角网的条件及条件方程式 11.1.1三角网中的角度条件 一、图形条件 二、圆周角条件