生长发育是一个连续过程,该过程 既有量变,也有质变,因而形成了不同 发育阶段。生长发育受遗传因素,环境 因素等影响。营养是生长发育最主要的 物质基础,尤其是足够的热量和优良蛋 白质,各种维生素,矿物质以及微量元 素等

研究了轴承钢中TiN夹杂物的形成热力学,以及钢中Ti和N的控制理论,并在某钢厂进行了GCr15轴承钢的生产实验.结果表明,在凝固过程中钢中Ti或N的含量越高,TiN夹杂物开始析出温度就越高,析出物的尺寸就越大;使用低Ti合金原料能够有效降低钢中的Ti含量;采用低Ti铁水,初炼渣中的TiO2降到1.0%以下,能有效控制钢水中的Ti含量;采用低钛合成渣过程回钛量显著减少,钢中Ti含量由原来的37×10-6下降至30×10-6;优化改进精炼工艺和大包保护浇铸可以降低钢中N含量为33×10-6;降低凝固偏析,能降低TiN夹杂析出

通过有限元仿真楔横轧凸轮轴时在轧件上取跟踪点,跟踪这些点的位置变化情况来揭示轧件内金属的详细流动规律.因凸轮体小圆端部分在轧制过程中所受模具挤压较小,其金属轴向流动和径向流动较其他变形区小,这种金属流动的不均匀性会影响轧件成形质量;轧制过程中因凸轮体小圆端与模具上凸轮凹槽产生啮合作用,这一作用降低了模具对凸轮体小圆端部分的周向扭转力,因此凸轮体小圆端部分的周向扭转相对较小.轧件凸轮体部分为非圆截面,此部分各向金属流动不均匀,造成凸轮体部分心部金属偏移量比其他部分大

通过本章学习，将能够： 1. 解释金属化； 2. 列出并描述在芯片制造中的6种金属，讨论它们的性能要求并给出每种金属的应用； 3. 解释在芯片制造过程中使用金属化的优点，描述应用铜的挑战； 4. 叙述溅射的优点和缺点； 5. 描述溅射的物理过程，讨论不同的溅射工具及其应用； 6. 描述金属CVD的优点和应用； 7. 解释铜电镀的基础； 8. 描述双大马士革法的工艺流程

1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用； 2. 讨论杂质扩散的原理和过程； 3. 对离子注入有一个总体认识，包括它的优缺点； 4. 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性； 5. 列举并描述离子注入机的5各主要子系统； 6. 解释离子注入中的退火效应和沟道效应； 7. 描述离子注入的各种应用

一、波的叠加原理 1当几列波在传播过程中相遇时,相遇区域每一点的振动等于各列波单独传播时在该点引起的振动的矢量和。 2通过相遇区域以后,波保持各自特征继续传播,就和未相遇过一样

根据空间效应,配置在铀酰赤道平面的配位体不应过挤或过松,可用配位体扇面角和(FAS)作估算.UO2(OAc)Br(TBP)2的FAS为180°:空间配位最佳,预计形成更稳定的萃合物而呈现更高萃取率.用醋酸钠-醋酸和溴化钠混合介质萃取铀酰离子证实上述预测.保持阴离子总浓度恒定,醋酸根与溴化物浓度比为l:10时出现协萃效应.用斜率法确证萃合物组成与预测一致

1.自由沉淀 单个颗粒在无边际水体中沉淀，其下沉的过程颗粒互 不干扰，且不受器皿壁的干扰，下沉过程中颗粒的大 小、形状、密度保持不变，经过一段时间后，沉速也 不变

采用烟气分析方法连续获得转炉炉内脱碳反应信息,通过倒推计算法研究了转炉吹炼过程中钢水脱碳速度转折点的临界碳含量.结果表明:熔池搅拌能对反应后期脱碳速度转变的临界碳含量影响比较大,随着底吹供气强度增加,搅拌强度增强,临界碳含量[C]d降低,当熔池搅拌能大于一定值时熔池搅拌能变化对临界碳含量[C]d影响不大.对于顶吹转炉,供氧强度对临界碳含量[C]d影响很大,随着供氧强度提高,临界碳含量[C]d显著降低

第一节:中国的膳食指南(1997年4月10日中国营养学会常务理事会通过) 一,食物多样、谷类为主; 二,多吃蔬菜、水果和薯类; 三,每天吃奶类、豆类或其制品;