1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

• 半导体探测器的工作原理。 • 半导体探测器与气体探测器相比，有哪些优点和缺点？ • 成为半导体探测器需要满足的条件。 • 使一个PN结成为实用的核辐射探测器需要满足的条件。 • 金硅面垒探测器的构成和工作原理。 • 硅锂漂移探测器的构成和工作原理。 • 高纯锗探测器的构成和工作原理。 • 比较三种常用半导体探测器的特性

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半导体的导电性能 PN结的形成及单向导电性 半导体器件的结构、工作原理、工作特性、 参数 ⚫ 半导体器件主要包括： 半导体二极管（包括稳压管） 三极管

内容主要有： 半导体的导电性能 PN结的形成及单向导电性 半导体器件的结构、工作原理、工作特性、参数 半导体器件主要包括： 半导体二极管（包括稳压管） 三极管和场效应管

半导体激光吸收光谱技术(DLAS，Diode Laser Absorption Spectroscopy)最早于20世纪70年代提出。随着半导体激光技术在20世纪80年代的迅速发展，DLAS技术开始应用于大气研究、环境监测、医疗诊断和航空航天等领域。 一、半导体激光器和光电探测器 二、激光气体分析仪的工作原理 三、技术优势与发展方向 四、典型产品及其应用 五、调校、维护和检修

第一节 半导体器件 § 2.1.1 半导体的基本知识 § 2.1.2 PN 结及半导体二极管 § 2.1.3 半导体三极管 第二节 基本放大电路 §2.2.1 放大电路的组成 §2.2.2 放大电路的分析方法 §2.2.3 静态工作点的稳定 §2.2.4 放大器的主要性能指标 §2.2.5 多级阻容耦合放大电路

半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子运动方式及形成电流 PN结与晶体二极管 PN结的基本原理 晶体二极管 二极管应用电路 特殊二极管 晶体三极管 晶体三极管的结构与符号 晶体管的放大原理 晶体三极管特性曲线 晶体管的主要参数 场效应晶体管 结型场效应晶体管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） 场效应管的参数及特点

半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子运动方式及形成电流 PN结与二极管 PN结的基本原理 晶体二极管 二极管应用电路 特殊二极管 晶体三极管 晶体管的结构与符号 晶体管的工作状态及放大原理 晶体管特性曲线 晶体管的主要参数 场效应晶体管 结型场效应晶体管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） 场效应管的工作状态、参数及特点

第二章半导体基本器件 2.1半导体二极管 PN结的单向导电原理,二极管的伏安特性 2.2半导体三极管 (1)三极管输出特性中的截止区、放大区和饱和区等概念。 (2三极管共发射极电流放大系数的概念 (3)三极管开关电路工作状态的分析方法 2.3MOS场效应管 (1)MOS场效应管的分类及符号 (2)增强型NMOS管的特性曲线