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《结构化学基础》课程教学资源(PPT课件)第二章 原子的结构和性质 2.1 单电子原子Schrodinger方程及其解 2.2 量子数的物理意义(推荐使用幻灯片放映)
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第一章 绪论 1-1 摄影测量的定义和任务 1-2 影像信息科学的形成与内涵 1-3 影像信息科学的组成 第二章 摄影的基本知识与影像误差处理 2-1 摄影原理与摄影机 2-2 黑白感光材料 2-3 摄影处理与像片晒印 2-4 航空摄影及摄影测量对摄影的基本要求 2-5 像片影像的误差及其处理 第三章 单张航摄像片解析 3-1 中心投影的基本知识 3-2 摄影测量常用坐标系 3-3 像片的内外方位元素 3-4 像点在不同坐标系中的变换 3-5 中心投影的构像方程(共线方程) 3-6 像点位移 3-7 单像空间后方交会
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§1 压电效应和压电材料 §2 压电方程和压电常数 §3 医用超声换能器设计考虑 §4 医用超声换能器电声匹配 §4 医用超声换能器电声匹配 §5 医用单振子超声换能器的结构域声场 §6 医用聚焦超声换能器 §6 医用聚焦超声换能器 §7 聚能型超声换能器 §8 医用多晶片超声换能器与辐射超声场 §8 医用多晶片超声换能器与辐射超声场
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本讲重点: 接口概念,单片机的编址与译码方法; 中断概念,响应条件,处理原则,中断服务; 定时器/计数器工作方式1,2的用法; 串行通讯的波特率,4种工作方式
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整流与滤波 概述 直流电源应用与类型 直流稳压电源结构 电源变压器 半波整流 全波整流 电源滤波 稳压电路 电压基准电路 原理性稳压电路 串联型调整管稳压电路 单片三端稳压器 开关电源 脉冲宽度调制PWM DC/DC变换器 隔离型开关电源 隔离型开关电源 单边变换与双边变换电路 全桥式变换电路
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《电路分析基础》课程教学大纲. 4 《模拟电子技术》课程教学大纲.13 《数字电子技术》课程教学大纲.23 《信号与系统》课程教学大纲. 33 《数字信号处理》课程教学大纲.42 《单片微机原理与接口技术》课程教学大纲. 50 《通信原理》课程教学大纲. 59 《高频电路》课程教学大纲. 68 《电磁场与电磁波》课程教学大纲. 77 《信息论基础》课程教学大纲. 86 《C 语言程序设计》课程教学大纲. 93 《MATLAB 与工程应用》课程教学大纲. 103 《算法与数据结构》课程教学大纲. 109 《信息网络》课程教学大纲. 119 《交换技术》课程教学大纲. 126 《传感器与检测技术》课程教学大纲. 134 《嵌入式系统原理应用》课程教学大纲.145 《FPGA 系统设计》课程教学大纲.155 《数字图像处理》课程教学大纲.164 《语音信号处理》课程教学大纲.171 《专业导论》课程教学大纲. 179 《专业英语》课程教学大纲. 186 《工程伦理》课程教学大纲. 193 《微波技术与天线》课程教学大纲. 199 《移动应用系统开发》课程教学大纲. 205 《半导体器件物理》课程教学大纲. 213 《模拟集成电路设计》课程教学大纲. 221 《数字集成电路设计》课程教学大纲. 227 《片上系统(SoC)技术》课程教学大纲. 233 《电子测量技术》课程教学大纲.239 《电子系统设计》课程教学大纲.249 《电子线路 CAD》课程教学大纲.255 《电器及 PLC 控制技术》课程教学大纲.263 《逻辑电路系统设计》课程教学大纲. 271 《通信网技术》课程教学大纲. 279 《集成电路工艺原理》课程教学大纲. 288 《微纳电子材料与器件》课程教学大纲.294
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本讲重点: 了解单片机发展的现状; 掌握AT89C系列1051,2051,4051特点与应用; 对P89LPC932会用实验装置,会编程应用; 熟悉ADuC832的特性,会编程下载; 对本讲重点介绍的其他几种单片机有了解
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本讲重点: 正确认识系统设计的基本原则,掌握简单任 务分析的一般流程,尝试自己制定方案; 对所举应用实例能消化理解,对部分模块能 独立编程实现
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本讲重点: C-51的数据类型和存储类型; 指针和中断的使用; 通过实例消化理解C-51的编程方法 尝试将实验课中的ASM-51程序转为C-51程序
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基于前驱体合成与氨气氮化两步法,通过对前驱体合成关键参数B源/N源比、分散剂种类、前驱体干燥方式进行调控,实现了大比表面积、少层氮化硼纳米片材料的制备。其优化条件为以硼酸为硼源,尿素为氮源,硼酸与尿素摩尔比为1∶30,甲醇和去离子水作为分散剂,利用真空冷冻干燥方式合成前驱体。将前驱体在氨气气氛下900 ℃保温3 h合成了氮化硼纳米片。利用X射线衍射测试、X射线光电子能谱测试、拉曼光谱测试、热重分析测试等对合成产物进行了物相和结构表征,利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、氮气吸脱附曲线等对合成产物进行了形貌及比表面积表征。结果表明:合成的氮化硼为六方氮化硼纳米片(h-BNNSs),纯度高,形貌类石墨烯,层数为2~4层,厚度平均为1 nm,比表面积为871.8 m2·g?1,单次产物质量平均可达240 mg,合成产物平均产率可达96.7%。该方法简单易操作,实现了大比表面积少层氮化硼的制备,有助于氮化硼在各应用领域的研究,如氮化硼/石墨烯复合材料、纳米电子器件、污染物的吸附、储氢等
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