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§4-1 结型场效应管JFET §4-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §4-3 场效应管放大电络
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5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较
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5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路
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5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较
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一、缘栅型场效应管(MOS管)的结构与工作原理 二、主要参数及使用时的注意事项 三、场效管基本放大电路
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1.4场效应管 场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流 的一种半导体器件。 它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管
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华中科技大学:《模拟电子技术》教学资源(一)4.2 场效应管放大电路——砷化镓金属-半导体场效应管
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第一章 晶体二极管 第二章 晶体三极管 第三章 场效应管
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华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)场效应管放大电路 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管(自学)
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一、结构 二、工作原理 三、 输出特性 四、转移特性
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