5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

§3.1 场效应管 §3.2 场效应管放大电路静态工作点置计方法 §3.3 场效应管放大电路动态分析

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路

3. 1 结型场效应管（JFET） 3. 2 绝缘栅场效应管（MOSFET） 3. 3 场效应管电路的分析方法及应用

5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较

一、缘栅型场效应管(MOS管)的结构与工作原理 二、主要参数及使用时的注意事项 三、场效管基本放大电路

1.4场效应管 场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流 的一种半导体器件。 它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管

场效应管用FET表示（Field Effect Transistor）。具有输入电阻高、热稳定性好、工艺简单、易于集成等优点

华中科技大学：《模拟电子技术》教学资源（一）4.2 场效应管放大电路——砷化镓金属-半导体场效应管

一、结构 二、工作原理 三、 输出特性 四、转移特性