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镁锆砖的制备工艺参数与抗RH炉渣侵蚀的相关性
文档格式:PDF 文档大小:0.98MB 文档页数:8
通过对比镁锆砖和镁铬砖抗RH炉渣侵蚀机理以及简化模型法,研究了镁锆砖的制备工艺参数与抗RH炉渣侵蚀的相关性.利用正交试验的方法分析了颗粒级配、助烧剂、烧结温度、氧化锆含量和氧化锆种类对镁锆砖抗渣性能的影响,确立影响镁锆砖抗渣性能的关键因素为烧结温度和氧化锆含量.在此基础上进一步分析烧结温度和氧化锆含量对镁锆砖抗渣侵蚀性能的影响.通过统计分析手段,利用中心复合设计,建立镁锆砖的抗侵蚀统计分析模型,并作响应曲面图形
水厂铁矿边坡加固设计及其稳定性分析
文档格式:PDF 文档大小:578.1KB 文档页数:5
对水厂铁矿北区边坡进行了工程地质调查研究,分析了滑坡现状和产生的原因,提出了削坡锚固治理方案.采用FLAC有限差分法计算软件对加固前后的边坡稳定性进行了对比分析.分析结果揭示了原边坡设计存在保守性和边坡不稳定性的矛盾,采取合理加固措施是解决这一问题的关键,分析表明削坡锚固治理方案是有效合理的
高速公路深路堑边坡应力及位移的有限元分析
文档格式:PDF 文档大小:500.05KB 文档页数:4
为了研究山区高速公路深路堑边坡的稳定性问题,基于三维非线性应力及位移有限元计算,对边坡稳定性进行了数值分析,并与Sarma法的计算结果进行了对比.结果表明,有限元法解决边坡问题可以起到其他方法不可替代的重要作用
矿区可持续发展的评价
文档格式:PDF 文档大小:672.33KB 文档页数:6
从可持续发展的角度重新界定了\矿区\的涵义,分析了矿区发展的特征,并把矿区发展过程划分为矿区形成阶段、发展阶段和转产阶段.在此基础上,首先构建了矿区可持续发展评价指标体系,该评价指标体系由目标层、准则层、指标层及28个分指标构成的多层次体系;其次,采用\有时序多层次多目标关联分析法\评价矿区可持续发展状况,并采用\改进的二元对比分析法\确定了矿区形成阶段和发展阶段各评价目标(指标)的权值;最后,以铁法矿区为例,给出了评价结果,并提出该矿区提高可持续发展能力的对策
组合柔性结构的结构特征对其变形特性的影响
文档格式:PDF 文档大小:503.12KB 文档页数:6
对柔性铰链与杆组成的组合柔性结构的结构特征进行了研究,认为柔性铰链与杆二者的厚度比、长度比是影响组合柔性结构变形特性的两个特征参数.以一组不同结构尺寸的组合柔性结构为例,分别采用有限元法与伪刚体模型法对其变形进行对比,分析了组合柔性结构的厚度比、长度比对其变形特性的影响;根据特征参数不同取值对组合柔性结构变形特性的影响结果,对组合柔性结构进行了分类
《化学分析》课程教学资源(PPT电子课件讲稿)第四章 非水水酸碱滴定法
文档格式:PPT 文档大小:416KB 文档页数:26
第四章 非水水酸碱滴定法 一、非水滴定法:在非水溶液中进行的滴定分析法 二、非水酸碱滴定法:在非水溶液中进行的酸碱滴定法 两种酸碱滴定法对比 1.以水为溶剂的酸碱滴定法的特点: 优点:易得,易纯化,价廉,安全 缺点:当酸碱太弱,无法准确滴定 有机酸、碱溶解度小,无法滴定强度接近的多元或混合酸碱无法分步或分别滴定 2.非水酸碱滴定法的特点 非水溶剂为滴定介质→增大有机物溶解度改变物质酸碱性扩大酸碱滴定范围
《电路》课程教学资源(授课教案,中、英文版)
文档格式:PDF 文档大小:604.68KB 文档页数:82
1.预习第 6 章 储能元件。 第 6 章 储能元件、第 8 章 相量法 复数,正弦量 第 9 章 正弦稳态电路的分析 阻抗和导纳,阻抗的串并联, 相量图 1.回顾第三章中的回路电流法和结点电压法 5(分钟) 7 矩阵形式与第三章中的方程组的对比 8(分钟)
基于激光遥测方法的某在役风电塔现场实测分析
文档格式:PDF 文档大小:734.05KB 文档页数:7
风力发电塔作为一类特殊的高柔结构,顶部支撑的风机在工作状态下对塔身产生动态激励,目前的风电塔振动实测通常采用接触式传感器.为发展风电塔现场非接触测试技术,本文对激光遥测方法进行阐述,利用加速度计和激光遥测设备对某1.5 MW风电塔进行环境脉动激励下的动力实测,对两种仪器的现场使用及测试结果进行对比,分析遥测方法的优势.利用得到的多组实测信号,分别采用峰值拾取法和随机子空间识别法进行分析处理,获得该风电塔的自振频率
蜂窝夹芯减振板结构设计的力学参数计算
文档格式:PDF 文档大小:373.52KB 文档页数:5
从力学性能和减振性两方面分析了用瞬间液相扩散复合法得到的蜂窝板的蜂窝结构,确定了面板厚度、芯材厚度、蜂窝格边长、蜂窝格壁厚4个结构参数作为设计变量,以剪切强度、弯曲强度、抗弯刚度、临界屈曲载荷、固有频率、质量6个性能参数为目标函数进行优化,并对优化结果进行了实验研究.结果表明,优化设计的蜂窝板的力学性能及减振性能优于对比板,实验值与计算值基本相符
n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO2/SiC界面研究
文档格式:PDF 文档大小:509.21KB 文档页数:4
在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求
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