⚫金属应变片式传感器 ◼金属丝式应变片 ◼金属箔式应变片 ◼测量电路 ◼应变式传感器应用 ⚫压阻式传感器 ◼压阻效应 ◼晶向、晶面的表示方法 ◼压阻系数 ◼固态压阻器件

第一章半导体材料导电型号、电阻率、少数载流子寿命的测量 第二章化学腐蚀一光学方法检测晶体缺陷和晶向 第三章霍尔系数、迁移率和杂质补偿度的测量 第四章外延片的物理测试 第五章红外吸收光谱在半导体测试技术中的应用 第六章扫描电子显微镜及其在半导体测试技术中的应用 第七章透射电子显微镜晶体缺陷分析 第八章Ⅹ射线在半导体测试技术中的应用 第九章结电容和CV测试技术 第十章半导体中痕量杂质分析

1.1 晶体学基础 1.1.1 空间点阵和晶胞 1.1.2 晶向指数和晶面指数 1.1.3 晶体的对称性 1.1.4 极射投影 1.2 金属的晶体结构 1.2.1 三种典型的金属晶体结构 1.2.2 晶体的原子堆垛方式和间隙 1.2.3 多晶型性

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第一部分:金属学(60分) 一、画出立方晶系中(011)晶面和[231]晶向。(本题4分) 装 二、试判断位错反应[110]→[121]+[211能否进行?(本题4分)

在烧结NdFeB磁体表面化学镀Ni-Cu-P以提高其耐腐蚀性能.研究了络合剂的质量浓度、镀液的pH值、施镀温度及金属离子配比[Cu2+]/[Ni2+]对沉积速度和镀层成分的影响.用扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDAX)观察镀层形貌并分析镀层成分.测定Ni-Cu-P合金镀层在质量分数3.5%NaCl溶液中的极化曲线,并结合中性盐雾实验表征镀层的耐腐蚀性能.研究表明:烧结NdFeB永磁体经碱性超声波除油、酸洗活化后进行化学镀Ni-Cu-P,可得到结合力良好的合金镀层;随着镀液中金属离子配比[Cu2+]/[Ni2+]的增大,所得镀层从非晶向晶态转变,镀层中的磷含量先升高后降低,镀层表面变得平整、致密;化学镀Ni-Cu-P三元合金的耐腐蚀性能优于相同条件下所得到的Ni-P镀层,且从金属离子配比([Cu2+]/[Ni2+])为0.02的镀液中得到的镀层的耐腐蚀性能最强

1.1 要点扫描 1.1.1 晶体材料的结合键 1.1.2 空间点阵和晶胞 1.1.3 常见纯金属（FCC、BCC、HCP）的晶体结构 1.1.4 晶面指数和晶向指数及其标注 1.1.5 标准投影 1.1.6 倒易点阵和晶体学公式 1.1.7 合金相结构 1.1.8 离子晶体结构 1.1.9 共价晶体结构 1.2 难点释疑 1.2.1 7 大晶系包含的点阵类型为什么不是 28 种，而是 14 种？ 1.2.2 为什么没有底心正方和面心正方点阵？ 1.2.3 确定晶面指数时应注意哪些问题？ 1.2.4 立方晶系中重要晶面上的晶体排列及面密度 1.2.5 立方晶系中重要方向上的晶体排列及线密度 1.3 解题示范 1.4 习题训练

合成了一系列希夫碱酯类化合物——4-(4-烷基反式环己基)苯甲酸4-(2,3,4-三氟苯胺亚甲基)苯酚酯.通过红外光谱(FTIR)和氢核磁共振(1H NMR)对产物化学结构进行了确认,并采用偏光显微镜(POM)和差示扫描量热仪(DSC)对其中间相性能进行了研究.结果表明,所得产物均存在近晶相和向列相且清亮点均高于300℃;随着烷基链长度增加,其熔点降低,但对清亮点的影响不大,近晶相存在的温度范围增大,而向列相温度范围缩小

通过1200℃缓冷至室温热循环过程,由于铬组元非平衡偏聚,加快铬在Fe25Cr5Al合金中向晶界扩散,并产生富铬的α'相沿晶及晶内沉淀;相变导致合金脆化,在晶界可观察到微米级α'相,并产生穿晶解理断裂失效破坏

本文研究了拟稳态时各向异性表面张力作用下柱晶界面的生长行为.在运用渐近分析方法求解柱晶界面形态数学表达式的基础上,分析在不同各向异性表面张力强度影响下柱晶界面形态的变化.各向异性表面张力对柱晶界面形态有显著影响.在柱晶生长开始阶段,柱晶部分界面首先向内收缩,当收缩达到某个临界值后,界面开始向外生长.柱晶界面沿着优先生长方向更快地生长.柱晶界面形态上形成突起变形,各向异性表面张力强度越大,柱晶界面形态的突起变形越明显