4.1 寻址方式 4.1.1 绝对寻址方式 4.1.2 直接寻址方式 4.1.3 间接寻址方式 4.1.4 数据存储器的寻址 4.1.5 存储器映射寄存器(MMR)的寻址 4.1.6 寄存器位的寻址 4.1.7 I/O空间的寻址 4.1.8 循环寻址 4.2 TMS320C55x的指令系统 4.2.1 算术运算指令 4.2.2 位操作指令 4.2.3 扩展辅助寄存器操作指令 4.2.4 逻辑运算指令 4.2.5 移动指令 4.2.6 程序控制指令

氢泡室的工作条件,要求制做泡室用的不锈钢在液态氢的极低温度(20k)下,有足夠的强度和韧性,在三万高斯的磁场中导磁率不大于1.005高斯奥斯特,此外,还要求这种钢有好的加工性能和焊接性能。我们根据氢泡室用钢的要求,参照美国西屋电器公司研制的kromarc-55不锈钢,[1]初步研制出k-55不锈钢带材(17.4毫米×240毫米×10米),于室温,液氮(-196℃)液氦(-269℃)三种温度下测试了拉伸曲线,测试了低温下的导磁率μ和膨胀系数α,並对材料的组织和断口进行了观察,对材料在低温拉伸过程中出现的现象进行了探讨。实验结果证明,我们炼制的K-55不锈钢基本上满足氢泡室工程要求

◼ 2.1 TMS320C55x的总体结构 ◼ 2.2 封装和引脚功能 ◼ 2.3 CPU结构 ◼ 2.4 CPU寄存器 ◼ 2.5 存储空间和I/O空间 ◼ 2.6 堆栈操作 ◼ 2.7 中断和复位操作

◼9.1 硬件设计概述 ◼9.2 DSP系统的基本电路设计 ◼9.3 外部程序存储器扩展 ◼9.4 外部数据存储器扩展 ◼9.5 C55x与A/D和D/A转换器的接口

通过电化学阻抗方法测量316L不锈钢在25~85℃的醋酸溶液中的EIS曲线和Mott-Schottky曲线,并测量各温度点下的循环伏安曲线,研究了钝化膜的电化学性质.研究结果表明:在醋酸溶液中的阻抗谱表明316L不锈钢在25~85℃温度范围内均能形成稳定的钝化膜,随温度升高极化阻力下降而界面电容增大.温度对于316L不锈钢钝化膜的半导体本征性质没有根本的影响:在-0.5~0.1V电位区间内钝化膜呈p型半导体特征;在0.1~0.9V电位区间内钝化膜呈n型半导体特征;在0.9~1.1V电位区间内钝化膜呈p型半导体特征.钝化膜的循环伏安曲线显示当温度低于55℃时,钝化膜结构比较稳定;当温度为55℃时,钝化膜稳定性趋向恶化;当温度超过55℃时,钝化膜稳定性下降

4.1 寻址方式 4.1.1 绝对寻址方式 4.1.2 直接寻址方式 4.1.3 间接寻址方式 4.1.4 数据存储器的寻址 4.1.5 存储器映射寄存器(MMR)的寻址 4.1.6 寄存器位的寻址 4.1.7 I/O空间的寻址 4.1.8 循环寻址 4.2 TMS320C55x的指令系统 4.2.1 算术运算指令 4.2.2 位操作指令 4.2.3 扩展辅助寄存器操作指令 4.2.4 逻辑运算指令 4.2.5 移动指令 4.2.6 程序控制指令

ANSYS55.7版本具有函数加载功能,可以很方便地在模型表面施加函数变化的 各种载荷,在 ANSYS55.6版本中,也可以通过变通的方式来实现此功能,其思路 是: 首先选定所要施加函数变化表面载荷的表面上的节点,利用 ANSYS的参数数 组和嵌入函数知识写一简单的命令流,定义好相应节点位置的面载荷值,然后 通过在节点上施加面载荷来完成。 下面以在一圆柱表面施加函数变化载荷为例:

◼9.1 硬件设计概述 ◼9.2 DSP系统的基本电路设计 ◼9.3 外部程序存储器扩展 ◼9.4 外部数据存储器扩展 ◼9.5 C55x与A/D和D/A转换器的接口

2004年印度洋大地震发生于2004年12月26日UTC时间00:58:55(雅加达,曼谷 当地时间07:58:55)。震央位于印尼苏门答腊以北的海底。当地地震局测量到的强度为6.8 级,香港、中国大陆及美国量度到的强度则为里氏(芮氏,里氏地震规模)8.5至8.7。其后香 港天文台和美国全国地震情报中心分别修正强度为8.9和9.0。这是自1964年阿拉斯加耶稣 受难日地震来最强的地震,也是1900年以来强度第四的地震

使用教材：《TMS320C55x DSP应用系统设计》(第3版) ◼ 1.1 DSP的基本概念 ◼ 1.2 DSP芯片的发展、特点、分类 ◼ 1.3 DSP产品概况