【综述】人-AI交互 实现“以人为中心AI”理念的跨学科新领域

《ai、ei、ui》ppt课件1_《ai-ei-ui》教学课件

第十三章文件 13.1 C文件概述 1.文件:存储在外部介质上的数据的集合。 2.aI码文件(文本文件): 每个字符以ASCI码形势存储。 3.二进制文件 按数据的二进制形式存储在磁盘上 例如:10000是整型数据,用二进制表示占两个字节,如用 ASCII 码输出,则占五个字节

习题一第3题用步枪射击目标5次,设Ai为\第 次击中目标\i=1,2,3,4,5),B为\5次中击中次 数大于2\,用文字叙述下列事件:

◆知识表示 演绎系统、产生式系统、框架结构、语义网络、过程性 知识 ◆搜索技术 无变量盲目搜索算法、带变量盲目搜素算法、启发式搜 索算法、博弈树搜索 ◆人工智能程序设计语言 PROLOG

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

第五章数组和广义表 引言: 线性表:L=(al,a,an),ai是同类型的元素,1≤i≤n 数组:A=(a,aan)

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、填空(20分,每题2分) 1.对晶格常数为a的SC晶体,与正格矢R=ai+2a+2ak正交的倒格子晶面族的面指数为(),其面间距为() 2.典型离子晶体的体积为V,最近邻两离子的距离为R,晶体的格波数目为(),长光学波的()波会引起离子晶体宏观上的极化

Interpretations With noise in the system, the model is of the form =AC+ Bu+ Buw, y= Ca +U And the estimator is of the form =Ai+ Bu+L(y-9,y=Ci e Analysis: in this case: C-I=[AT+ Bu+Buw-[Ac+ Bu+L(y-gI A(-)-L(CI-Ca)+B