北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）chap4-1 第四章 CMOS单元电路 4.2 反相器瞬态特性

北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）chap4-1 第四章 CMOS单元电路 4.1 反相器直流特性

复旦大学：《集成电路工程》教学资源（硕士士学位论文）CMOS宽带可变增益低噪声放大器的设计

2.3.1 CMOS IC中的寄生效应 2.3.2 SOI工艺 2.3.3 CMOS版图设计规则

 2.1.2 MOS结构和分类  2.2.1 N阱CMOS工艺  2.2.2 深亚微米CMOS工艺

12.1 一位加法器电路 12.2 串行进位加法器 12.3 超前进位加法器 12.4 其他高速加法器 12.5 乘法器

 噪声定义  共源放大器的噪声  源极跟随器的噪声  共栅放大器的噪声  电流镜的噪声  差分对的噪声  密勒CMOS OTA的噪声  容性噪声匹配  电压/电流检测器的噪声对比

研究模拟电路的重要性 模拟电路设计的难点 研究AIC的重要性 研究CMOS AIC的重要性 电路设计一般概念 抽象级别 健壮性设计 符号约定

• 带隙电压基准的基本原理 • 常用带隙电压基准结构 – PTAT带隙电压基准 – 运放输出电压基准 • 基准电路的发展方向 • PTAT带隙电压基准的设计 • 优化温度特性 • 实训

6.1 输入缓冲器 6.2 输出缓冲器 6.3 ESD保护电路 6.4 三态输出的双向I/O缓冲器