3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数

一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （ 1） 在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。（ ）

3.1半导体的基本知识 3.2PN结的形成及特性 3.3半导体二极管 3.4二极管基本电路及其分析方法 3.5特殊二极管

一、半导体存储器概念： 随着微电子技术的提高,大规模集成电路(LSI)发展很快,近年来集成电路几乎以每年提高一倍的速度向前发展。存储器是电子计算机及数字系统中不可缺少的部分，用来存放二进制代码表示的数据､系统指令､资料及运算程序等。 二、存储器的主要指标 存储容量 和 工作速度

评述了目前半导体光催化在国内外的研究概况，并对存在的问题和未来的发展动向进行简要分析.列举了近30年来关于光催化研究的部分成果，内容涉及光催化剂的制备（包括新催化剂的开发，TiO2、ZnO、CdS等光催化剂的各种改性或修饰）、光催化作用机理研究、光催化技术的工程化、光催化技术的各种应用研究和产品开发等等从基础到应用研究的各个方面

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较

▪1、PN结的原理和二极管的等效电路。 ▪2、半导体内部载流子运动规律。 ▪3、晶体二极管、晶体三极管、结型场效应 管、绝缘栅型场应管的工作原理和特性曲线

学习要点： •熟悉常用ROM的内部结构和使用方法 •熟悉常用RAM的内部结构和使用方法 •掌握存储器容量的扩展方法（字、位） •了解可编程逻辑器件：PLD、PAL、GAL 10.1 半导体存储器 10.1.1 只读存储器（ROM） 10.1.2 随机存储器（RAM） 10.1.3 存储器容量的扩展 10.2 可编程逻辑器件 10.2.1 PLD的电路表示法 10.2.2 可编程阵列逻辑器件PAL 10.2.3 通用阵列逻辑器件GAL

5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较

3.1 半导体三极管（BJT） 3.2 共射极放大电路 3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法 3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.6 共集电极电路和共基极电路 3.7 放大电路的频率响应