在前面九章学习的基础上,通过本章十个阶段的练习,一定能逐步掌握 Verilog hdl设计的 要点。我们可以先理解样板模块中每一条语句的作用,然后对样板模块进行综合前和综合后 仿真,再独立完成每一阶段规定的练习。当十个阶段的练习做完后,便可以开始设计一些简 单的逻辑电路和系统。很快我们就能过渡到设计相当复杂的数字逻辑系统。当然,复杂的数 字逻辑系统的设计和验证,不但需要系统结构的知识和经验的积累,还需要了解更多的语法 现象和掌握高级的 Verilog hdl系统任务,以及与C语言模块接口的方法(即PLI),这些已 超出的本书的范围。有兴趣的同学可以阅读 Verilog语法参考资料和有关文献,自己学习, 我们将在下一本书中介绍 Verilog较高级的用法

前几章介绍了植物的各种功能代谢,这些功能代谢的整合(integration), 就表现出细胞的分裂、分化与生长,进而表现为植株的发育。 生长与发育贯穿于植物的一生。植物的生长(growth)是指植物在体积、重量等形态 指标方面的变化,是一种量的不可逆增加。植物分化(different iation)是指植物细胞在 结构、功能和生理生化性质方面发生的变化,是一种反映不同细胞的质的变化。而所谓发育 ( development)则是植物生长和分化的总和,从而形成执行各种不同功能的组织与器官, 这种质的转变就是发育。生长为发育奠定基础发育则是生长的必然结果,生长和发育相辅 相成,密不可分。从分子生物学的观点来看,植物的生长分化和发育的本质是基因按照特 定的程序表达而引起植物生理生化活动和形态结构上的变化

1.绪论 1.1判断下列化合物是否为极性分子? (1)HBr(2)I2 (3)(4)()CH3OH(6)CH3-O-CH3 答:(1),(4),(5),(6)为极性分子;(2),(3)为非极性分子。 1.2写出下列化合物的简单电子结构式

1.结合C2的形成,说明共价健形成的条件共价键为什么有饱和性? 2.利用图7-4(b)写出F2分子的电子构型,F2

编码器在许多应用场合要求每旋转1个周期给出1个零脉冲信号.要满足这一使用要求,在前期增量型高分辨率磁编码器的研究基础上,对具有零脉冲信号输出的磁编码器的结构设计、信号触发磁鼓的试制、磁敏电阻敏感元件制备、电子信号处理的研制过程进行讨论

利用循环伏安、交流阻抗谱和极化曲线研究了Acidithiobacillus ferrooxidans对软锰矿在模拟浸出溶液(9K基础培养基, A.ferrooxidans, Fe (Ⅲ), A.ferrooxidans+Fe (Ⅲ))中电化学腐蚀行为的影响; 利用模拟有菌/无菌浸出溶液中钝化膜的Mott-Schottky理论比较了有无细菌存在情况下形成的钝化膜的优劣性.结果表明, A.ferrooxidans促进MnO2/Mn2+氧化还原转化, 催化MnO2/Mn (OH)2电极反应; 加速软锰矿/溶液界面电子交换, 无铁存在时A.ferrooxidans使电荷转移内阻降低34%, 比含Fe (Ⅲ)无菌体系低11%;引起软锰矿电极极化, 增强其氧化活性; 加速MnO2向MnO·OH转化及其产物扩散.A.ferrooxidans与软锰矿作用更倾向于间接作用机理.在选取的各模拟电解液(pH值为2.0)中, 0.2~0.4 V区间内软锰矿形成耗尽层, 在模拟浸出溶液中形成的钝化膜都表现出p-n-p-n型半导体性能.在选取的0.2 V极化电位下, 无铁时引入A.ferrooxidans使膜中的施主/受主密度减少, 细菌含有多种基团参与半导体/溶液界面电子转移反应, 接受界面间自由电子或填充空穴, 促使软锰矿与溶液界面物质交换变频繁; 含铁溶液中加入A.ferrooxidans使得钝化膜受主/施主密度增大, A.ferrooxidans降低了膜的耐腐蚀性, 因而促进软锰矿浸出

正如下面讲到的,由式(5.21)给出的线性控制律是最优控制律。所以,若能确定矩阵K中的未知元素,使得性能指标达极小,则u(t)=-Kx(t)对任意初 始状态x(0)而言均是最优的。图5.6所示为该最优控制系统的结构方块图

3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给 出四种状态下的UGS和UDS 的值，判断各状态下的管子工作在 什么区

第一节　细胞膜的基本结构和物质转运功能 一、膜的化学组成和分子结构 （一）脂质双分子层 （二）细胞膜蛋白质 （三）细胞膜糖类 二、细胞膜的跨膜物质转运功能 （一）单纯扩散 （二）易化扩散 （三）主动转运 （四）出胞与入胞式物质转运 第二节　细胞的跨膜信号传递功能 一、由具有特异感受结构的通道蛋白质完成的跨膜信号传递 （一）化学门控通道 （二）电压门控通道 （三）机械门控通道 二、由膜的特异受体蛋白质、G-蛋白和膜的效应器酶组成的跨膜信号传递系统 第三节　细胞的兴奋性和生物电现象 一、兴奋性和刺激引起兴奋的条件 （一）兴奋性和兴奋含义及其变迁 （二）刺激引起兴奋的条件和阈刺激 （三）组织兴奋及其恢复过程中兴奋性的变化 二、细胞的生物电现象及其产生机制 （一）生物电现象的观察和记录方法 （二）细胞的静息电位和动作电位 （三）生物电现象的产生机制 三、兴奋的引起和兴奋的传导机制 （一）阈电位和锋电位的引起 （二）局部兴奋及其特性 （三）兴奋在同一细胞上的传导机制 第四节　肌细胞的收缩功能 一、神经-骨骼肌接头处的兴奋传递 二、骨骼肌细胞的微细结构 （一）肌原纤维和肌小节 （二）肌管系统 三、骨骼肌的收缩机制和兴奋-收缩耦联 （一）肌丝的分子组成和横桥的运动 （二）骨骼肌的兴奋-收缩耦联 四、骨骼肌收缩的外部表现和力学分析 （一）前负荷或肌肉初长度对肌肉收缩的影响枣长度-张力曲线 （二）肌肉后负荷对肌肉收缩的影响－张力-速度曲线 （三）肌肉收缩能力的改变对肌肉收缩的影响 （四）肌肉的单收缩和单收缩的复合 五、平滑肌的结构和生理特性 （一）平滑肌的微细结构和收缩机制 （二）平滑肌在功能上的分类 （三）平滑肌活动的控制和调节

通过在Na2SiO3-KOH基础电解液中加入石墨烯添加剂,在镁锂合金表面制备出一层自润滑的含碳陶瓷层. 利用扫描电镜、原子力显微镜以及X射线衍射仪分析了陶瓷层的表面形貌、粗糙度以及物相组成,利用摩擦磨损试验仪对陶瓷层在室温下的摩擦学性能进行研究. 其结果表明,加入石墨烯后制备出的含碳陶瓷层表面放电微孔分布均匀,且其微孔尺寸和表面粗糙度均明显降低. 相比于镁锂合金,陶瓷层的表面硬度也得到明显的提高. 此外,含碳陶瓷层主要由SiO2、Mg2SiO4以及MgO物相组成,而石墨烯则以机械形式弥散分布于陶瓷层中并起到减摩作用. 当石墨烯体积分数为1%时,陶瓷层表面显微硬度为1317.6 HV0.1 kg,其摩擦系数仅为0.09,其耐磨性明显提高. 同时,陶瓷层磨痕的深度和宽度均明显小于镁锂合金,而且较为光滑,表明陶瓷层表面没有发生严重的黏着磨损