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TBCCO/LAO高温超导薄膜的电阻转变和各向异性
文档格式:PDF 文档大小:780.33KB 文档页数:5
将Tl2Ba2CaCu2O8(TBCCO)高温超导薄膜通过磁控溅射的方法沉积到LaAlO3(LAO)衬底上,SEM和XRD的测量结果显示该超导薄膜具有很高的成膜品质.通过标准四引线方法对TBCCO/LAO高温超导薄膜在不同磁场下的电阻转变进行了研究.结果表明:在一定的磁场下TBCCO/LAO超导薄膜具有很强的电阻转变展宽现象,并且当磁场垂直于超导薄膜表面时该超导薄膜显示出更强的电阻转变展宽现象.用热激活辅助磁通流动理论对该超导薄膜的电阻转变展宽现象进行了解释,同时通过分析超导薄膜的电阻转变对该超导薄膜的各向异性进行了讨论
薄板压延中在压边圈叠加振动的模拟试验
文档格式:PDF 文档大小:361.79KB 文档页数:4
应用模拟的方法在薄带摩擦试验中于正压力上叠加低频振动,模拟薄板在叠加振动的压边圈下的摩擦状态,系统地研究了振幅、频率、正压力、拉速、表面与摩擦力的关系.试验表明,在一定的条件下,低频振动叠加是可以改善薄板成形变形区的摩擦状况,降低摩擦力的
喷射沉积H13钢的组织和硬度
文档格式:PDF 文档大小:1.07MB 文档页数:5
用传统铸造和喷射成形工艺制备了H13钢,然后再进行锻造加工,利用光学金相显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射分析(XRD)等分析方法及硬度测试对不同工艺制备的H13钢的显微组织和硬度进行分析.研究结果表明,喷射成形及其锻造加工的H13钢的组织及硬度明显的优于传统工艺制备的H13钢
高塑高强纳米Al2O3-Cu复合材料
文档格式:PDF 文档大小:1.33MB 文档页数:5
以Cu-Al水雾化合金粉末为原料,通过内氧化方法制备了Al2O3弥散强化铜复合材料,使用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)结合X射线衍射等手段,对复合材料进行了综合研究.结果表明:γ-Al2O3弥散相粒子在基体内均匀分布,尺寸约6nm,间距30~50nm.挤压态棒材的相对导电率为87%IACS,软化温度达850℃.挤压态的25mm弥散强化铜棒材不经过任何中间热处理,直接冷拉拔得到1mm的铜丝,其抗拉强度高达680MPa
神经元网络应用于圆坯连铸结晶器传热计算
文档格式:PDF 文档大小:854.26KB 文档页数:5
以圆坯连铸结晶器温度实测数据为基础,研究应用神经元网络求解结晶器传热反问题的可行性,并尝试将神经元网络与数值计算结合用于结晶器传热计算,探索针对实测数据的结晶器传热在线计算方法.结果表明,数值计算结果与实测温度符合较好,可真实反映实际生产中圆坯结晶器传热的非均匀特性
水平连铸管坯钢中的非金属夹杂物
文档格式:PDF 文档大小:409.2KB 文档页数:4
针对衡钢\EAF-LF-VD-HCC\工艺生产的水平连铸管坯钢,通过运用金相显微镜、扫描电镜、EDAX 能谱仪、电子探针、电解、示踪剂跟踪法等各种分析手段及方法,对 LF 处理前后,VD 处理后,中间包钢水及连铸坯,重点是吊包钢水,中间包钢水和连铸坯所取试样中所含的显微夹杂物及大型夹杂物进行了研究.结果表明,管坯钢显微夹杂相对个数为 16.1 mm-2,大型夹杂物数量为 214.6 mg·kg-1
超声雾化沉积WC颗粒增强高速钢复合材料的制备
文档格式:PDF 文档大小:438.8KB 文档页数:4
就采用超音雾化沉积方法制备WC颗粒强化M2高速钢复合材料的可能性进行了探讨.用光学显微镜,电镜,硬度计等研究了复合材料的组织结构及硬度性能.最终获得了性能优异的复合材料
含钒超细晶双相钢的细化机制
文档格式:PDF 文档大小:1.25MB 文档页数:7
利用铁素体+马氏体+贝氏体的初始显微组织结合冷轧和连续退火的方法达到了细化晶粒的目的,通过这种方式制备的双相钢中有63.8%的铁素体晶粒尺寸分布于0.5~1μm,有53%的马氏体晶粒尺寸分布于0.5~1μm.针对该现象研究了基于铁素体+马氏体+贝氏体初始显微组织含钒超细晶双相钢的晶粒细化机制.分析认为,细化机制主要有三个方面:第一是形变对显微组织的细化,包括为了得到铁素体+马氏体+贝氏体的初始显微组织而进行的热轧和冷轧;第二是冷轧态显微组织的再结晶和快速奥氏体化;第三是钒的析出物阻碍奥氏体的长大
PVA水凝胶(PVA-H)的干燥与溶胀性能
文档格式:PDF 文档大小:474.85KB 文档页数:4
研究了室温自然干燥和酒精脱水干燥对于干态PVA水凝胶在30℃的蒸馏水中2次溶胀性能的影响.结果表明,用酒精脱水干燥的PVA水凝胶的2次溶胀度大于在室温自然干燥的PVA水凝胶的2次溶胀度.对湿态PVA水凝胶未进行干燥处理前先进行1次溶胀后,再用同一种于燥方法处理2种试样,结果表明,经过1次溶胀的PVA水凝胶在2种干燥条件下的2次溶胀度均大于未经过1次溶胀的PVA水凝胶的2次溶胀度
SiO2/Ta界面反应及其对Cu扩散的影响
文档格式:PDF 文档大小:406.23KB 文档页数:3
利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta薄膜,采用X射线光电子能谱研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处有更稳定的化合物新相Ta5Si3和Ta2O5生成.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡
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