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450℃高能电子辐照对CLAM钢微观结构的影响
文档格式:PDF 文档大小:918.03KB 文档页数:6
为了研究低活化马氏体CLAM钢的抗辐照肿胀性能,在450℃下对CLAM钢进行大剂量高能电子辐照的原位动态实验.利用超高压透射电子显微镜观察发现,CLAM钢中产生了大量的间隙原子型位错环和多面体形状的辐照空洞.分析了它们的形核和长大规律以及相关机制.计算表明,CLAM钢在高能电子辐照下的最大肿胀率为0.26%,具有较好的抗辐照肿胀性能
掺Cu的RECo5型金属间化合物的电子结构
文档格式:PDF 文档大小:675.97KB 文档页数:8
基于合金元素的晶位占据特性,本文提出了一个用于研究非磁性元素Cu作用机制的模型体系,计算了它们的电子结构。结果表明:Cu置换2c晶位Co导致体系能谱向浅势阱移动,能隙减小,原子间电荷重新分布,并产生了新的由杂质贡献的态;分波局域态密度给出了体系中各原子间的轨道相互作用。对Hellmman-Feynman力的分析表明:Cu置换2c晶位Co显著降低了体系的热膨胀各向异性
《量子力学》第三章 量子力学中的力学量(3.3)电子在库仑场中的运动
文档格式:PPT 文档大小:429.5KB 文档页数:19
背景:H原子,类氢原子(如H,L,Z>1), 将e+核的相互作用及动能,分为二体质心平动 和电子与核的相对运动,即核静止而电子绕核 运动,μ为折合质量
《抗氧化研究方法》讲义电子课件
文档格式:PPT 文档大小:544KB 文档页数:30
氧化损伤的产生 线粒体呼吸链中,由于发生电子漏,导致氧分子经 单电子转移反应,生成了超氧阴离子。 ·某些氧化酶催化氧化底物时,释放出活性氧,如黄 嘌呤/黄嘌呤氧化酶体系放出超氧阴离子、葡萄糖/葡 萄糖氧化酶体系放出过氧化氢。 巨噬细胞受刺激后呼吸爆发产生活性氧
高熵合金与非晶合金柔性材料
文档格式:PDF 文档大小:1.74MB 文档页数:11
高熵合金与非晶合金作为新一代金属材料,具备许多优异的物理、化学及力学性能,在柔性电子领域展现出巨大的应用潜力。传统的块体高熵合金与非晶合金虽然性能优异,但由于材料本身的刚性特点无法满足可变形电子设备的柔性需求,因此需要通过一定方式如降低维度、设计微结构等赋予其柔性特征。在简述高熵合金柔性纤维的力学性能特点的基础上,介绍了高熵合金薄膜作为潜在柔性材料的制备方式与结构性能特点,总结了非晶合金薄膜应用于电子皮肤、柔性电极、微结构制作等柔性电子领域中的最新进展,最后讨论了现有工作的不足之处并对未来柔性电子的发展前景进行了展望
《模拟电子技术》课程教学资源(教材讲义)第2章 基本放大电路
文档格式:DOC 文档大小:4.6MB 文档页数:20
本章讨论的问题:1什么是放大?放大电路放大信号与放大镜放大物体意义相 同吗?放大的特征是什么?2为什么晶体管的输入、输出特性说明它有放大作用?如何将 晶体管接入电路才能起到放大作用?组成放大电路的原则是什么?有几种接法?3如 何评价放大电路的性能?有哪些主要指标?4晶体管三种基本放大电路各有什么特点?如 何根据它们的特点组成派生电路? 5如何根据放大电路的组成原则利用场效应管构成放大电路?它有三种接法吗?
延安大学:《电路分析基础》课程教学资源(PPT课件)第三篇 动态电路的相量分析法和s域分析法 第8章 阻抗和导纳
文档格式:PPT 文档大小:4.29MB 文档页数:64
第一部分:引入阻抗和导纳、相量模型,类比运用已经很熟悉的电阻电路解法。 第二部分:只求有效值和只求相位两类特殊问题,引入相量图法。相量分析法是正弦稳态分析的基础。 8-1 变换方法的概念 8-2 复数 8-3 振幅相量 8-4 相量的线性性质和基尔霍夫定律的相量形式 8-5 三种基本电路元件VCR的相量形式 8-6 VCR相量形式的统一——阻抗和导纳的引入 8-7 正弦稳态电路与电阻电路分析方法的类比——相量模型的引入 8-8 正弦稳态混联电路的分析 8-9 相量模型的网孔分析和节点分析 8-10 相量模型的等效 8-11 有效值 有效值相量 8-12 两类特殊问题 相量图法
《模拟电子技术》课程教学资源(自测题)第九章 功率放大电路(自测题,含答案)
文档格式:DOC 文档大小:627KB 文档页数:17
第九章功率放大电路 自测题 一、选择合适的答案,填入空内。只需填入A、B或C (1)功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基 本不失真情况下,负载上可能获得的最大 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 (2)功率放大电路的转换效率是指 A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 (3)在OCL乙类功放电路中,若最大输出功率为1W,则电路中功放 管的集电极最大功耗约为
复旦大学:《模拟电子技术基础 Fundamental of Analog Electronics 模拟电子学基础》课程教学资源(电子教案课件讲稿)Chapter 03 晶体管放大器(唐长文)
文档格式:PDF 文档大小:865.33KB 文档页数:112
放大器概述 放大器的一般描述 分析放大器的一般方法 晶体管单管放大器 单管放大器的一般结构 单管放大器的分析方法 单管放大器的频率特性 单管放大器的比较 双管组合放大器 双管组合放大器的特点: 发挥基本放大器的优点,避免其缺点 双管组合电路的基本形式: 共射-共基电路和共源-共栅电路 共集-共集电路 共集-共射电路 共集-共基电路 复合管 多级放大器的级间耦合方式 直接耦合 阻容耦合 变压器耦合
川北医学院:《模拟电子技术基础》课程电子教案(课件讲稿)03 二极管及其基本电路
文档格式:PDF 文档大小:3.11MB 文档页数:51
3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管) 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电子器件
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