在宋明理学的发展过程中，与朱熹理学对 立的心学，始于南宋时的陆九渊，形成于明代 的王守仁。虽然王守仁的学说与陆九渊有着一 定的差异，但他们都以“心”为本体，学术界 统称为陆王心学，该学派的形成不仅有社会思 想的大气候，而且与程朱理学也存在某种相互 刺激的关系。因此，我们探讨陆王心学不能孤 立地进行，而应该联系程朱理学一起加以考察

7.1 WINDOWS的内存分配 内存是操作系统的核心部分,所以我们非常有必要了 解内存的分配机制。在DOS下,访问内存的指针是 用段地址:偏移量来表示,所有程序共用一个内存空 间,由低向高分配内存空间,所以任何程序都可以随 便修改内存中的数据,包括不属于自己程序的内存 空间和中断向量表。而且所有程序被局限在1M的基 本内存(Base Memory)中,不能直接访问扩充内存

通过本章的学习，将能够： 1. 辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响； 2. 对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同； 3. 描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用； 4. 描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器 5. 描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别； 6. 描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质； 7. 列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

心理咨询中，我们常会遇到一些求助者，他 们所叙述的思想、情感、事件是模糊、混乱、 矛盾、不合理的。这些模糊不清的东西常常 是引起他们困扰的重要原因。为此，咨询师需要使用具性技术。以“何 人、何时、何地、有何感觉、有何想法、发 生什么事，如何发生”等问题，协助求助者 更清楚、更具体地描述其问题

一、1960年11月，日本广岛市一男子因不堪忍受工厂噪声折磨刺杀工厂主。 二、1961年7月，日本东京青年因不堪忍受客货车的噪声自杀身亡。 三、1981年，在美国的现代派露天音乐会。 四、华盛顿时间 1991年4月12日上午11点半，美国南部的迈阿密商业机场上的恐怖试验

架空电缆是将电缆架挂在距地面有一定高度 电杆上的一种电缆建筑方式，与地下电缆相比， 虽然较易受外界影响，不够安全，也不美观，但 架设简便，建设费用低，所以在离局较远，用户 数较少而变动较大，敷设地下电缆有困难的地方 仍被广泛应用

按照穆尔定律,芯片制造商大约每18个月就会 把挤在指甲壳那么大的硅片里的晶体管数量增 加一倍。但是物理学定律认为,这种成倍增长 的速度不会永远持续下去。最终,晶体管会变 得非常小,小到晶体管的组件将只有几个分子 那么大。在这样小的距离里,起作用的将是古 怪的量子定律,电子会从一个地方跳到另外一 个地方而不穿过这两个地方之间的空间。就像 破漏的消防水管中的水,这时电子会越过原子 粗细的导线和绝缘层,从而产生致命的短路

水在自然循环中，无时不与外界接 触。由于水极易与各种物质混杂，溶解 能力又较强，所以，任何天然水体都不 同程度地含有多种多样的杂质。当水源 受到生活污水、工业废水及其他废弃物 污染时，水中杂质将更趋于复杂。所有 各种杂质

（一） 流体静力学实验 （二） 不可压缩流体恒定流能量方程（伯诺里方程）实验 （三） 不可压缩流体恒定流动量定律实验 （四） 毕托管测速实验