用气固相反应原理分析了单晶硅热氧化机理。在氧化中期,考虑到热应力对扩散系数的影响,从而得出了硅氧化的一个新模型,即化学反应控速——四次方混合控速——扩散控速模型。用该模型处理了文献[4]中的数据与本实验结果均得到满意的相关系数。另外,用扫描电镜和透射电镜对氧化膜进行了观察,分析了单晶硅的氧化膜生长机理

研究了粉煤灰的物理化学特性,设计了四种方案对粉煤灰进行改性,旨在扩大粉煤灰的应用.通过对比改性前后Na2SiO3-粉煤灰试块的强度,使粉煤灰在改性前后的反应速度通过试块的强度得以体现.扫描电镜照片显示,在机械粉磨结合化学激发处理后,坚硬的外壳大部分被破坏.27Al的核磁共振图谱显示宽峰变窄.29Si的核磁共振谱表明,Q0消失,Q2增多,Q4减少.说明加入强碱并同时机械粉磨可有效破坏粉煤灰的玻璃微珠外壳及硅铝网络结构,可增强粉煤灰的潜在活性

本文采用正交设计及方差分析法,对获取良好TRIP效应的Si、Mn系低碳低合金钢化学成分及热处理工艺进行了优化.结果表明:化学成分为0.28%C-1.62%Si-1.09%Mn的钢,经等温淬火工艺790℃×4min→400℃×3min处理后,获得最佳综合机械性能,强塑积达322.33MPa·%

以玻璃包覆FeCoSiB合金微丝为对象,研究了氢氟酸含量和反应温度对包覆层去除过程的影响,以及缓蚀剂对Fe-CoSiB芯丝的保护效果.结果表明:在反应温度为25℃的条件下,当所采用的HF质量分数从10%增加到40%时,玻璃包覆层去除速度从0.005μm·s-1提高至0.076μm·s-1;在HF质量分数为40%的条件下,当反应温度从10℃升高到45℃时,玻璃包覆层去除速度从0.033μm·s-1提高到0.234μm·s-1;反应温度为20~25℃时,用质量分数40%的氢氟酸溶液去除厚度范围为7.5~9.0μm高硼硅玻璃包覆层的最佳时间为150s;硫氰酸钠及硫氰酸钠+乌洛托品作为缓蚀剂均可显著抑制氢氟酸溶液对芯丝的腐蚀,硫氰酸钠+乌洛托品还可有效减少金属吸氢,有利于防止芯丝力学性能的劣化

东莞理工学院：《有机化学》课程教学资源（授课教案）第十六章 有机含硫与含磷和含硅化合物

§6.5.1 视像管 §6.5.3 光电发射式摄像管 §6.5.4 微光像增强器 §6.5.5 微光摄像CCD器件 §6.5.2 硅靶摄像管

❑ 概述 ❑ 岛状结构硅酸盐矿物 ❑ 锆石, 橄榄石, 红柱石, 蓝晶石, 石榴石, 黄晶, 符山石 ❑ 环状结构硅酸盐矿物 ❑ 绿柱石, 电气石 ❑ 链状结构硅酸盐矿物 ❑ 辉石, 硅灰石, 角闪石 ❑ 层状结构硅酸盐矿物 ❑ 蛇纹石, 高岭石, 滑石, 叶腊石, 云母, 绿泥石 ❑ 架状结构硅酸盐矿物 ❑ 长石, 霞石, 白榴石, 沸石

助复剂的选择与配制是小变形条件下采用扩散-轧制法生产复合钢板的关键问题之一.为了开发一种适用于碳钢,并在低中温(<850℃)条件下使用的助复剂,研制了一种以铜为基体元素,锌为主要合金元素,锰为主要添加元素,再加入少量的硅、锡、镍、微量的硼和稀土的助复剂,对其成分配比进行了设计并在冶炼过程中对钢板进行了涂镀.扫描电镜及轧制结果表明,助复剂与钢板接合处发生了原子之间的扩散,界面结合较好,助复剂厚度达到后续小变形轧制复合的要求

由Na2O·nSiO2和Mg(NO3)2经沉淀法合成了三硅酸镁,用450℃煅烧或酸化方法对合成的样品进行改性.采用XRD、IR、TG/DTA和BET等表征手段,考察了原料加入顺序、酸化和煅烧过程对样品的结晶度和表面织构的影响规律,并对其影响机理进行了探讨.结果表明,不同滴定顺序和不同活化方法制得的样品均为非晶态物质.TG/DTA分析显示不同滴定顺序样品的组成相同.pH对样品的表面织构有明显的影响.BET分析表明,Mg(NO3)2滴加入泡花碱溶液合成的样品为微孔材料,以1~3nm和0.7~0.9nm的微孔为主,比表面积达568.93m2·g-1,水合硅酸镁含量较高.泡花碱滴加入Mg(NO3)2合成的样品为大孔材料,比表面积为179.40m2·g-1,水合硅酸镁含量降低.煅烧和酸处理增加样品的结晶度,减少样品比表面积,并改变样品的孔径分布.煅烧使中孔含量增加,形成中孔材料.酸处理使Mg2+被H+取代,表面形成硅羟基基团,材料以中孔为主

研究了Fe-Mn-Si形状记忆合金热塑性。结果表明:合金中硅含量的增加可提高合金的记忆效应,却严重损害合金热塑性;微量元素Mg的加入可大大改善合金的热塑性,而不降低记忆效应。由于Mg元素的加入,含Si量达4%的Fe-Mn-Si形状记忆合金也能顺利地热轧成无缝管,提高了Fe-Mn-Si形状记忆合金实用性